[发明专利]互连结构的形成方法

权利要求书

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供前端器件结构，所述前端器件结构具有第一介质层和位于所述第一介质层中的导电结构；

在所述导电结构上形成帽盖层；

采用原子层沉积法，在所述第一介质层和所述帽盖层上形成第一刻蚀停止层；

采用物理气相沉积法，在所述第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层；

在所述第二刻蚀停止层上形成扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层上形成第二介质层；

刻蚀所述介质层和所述扩散阻挡层，直至形成通孔，所述通孔底部暴露至少部分所述第二刻蚀停止层。

2.如权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层的材料为氮化铝。

3.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的厚度范围为

4.如权利要求3所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层和所述第二刻蚀停止层的总厚度为

5.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀停止层的形成过程中，所述原子层沉积法采用的材料包括铝的碳氢化合物和氨气；所述第二刻蚀停止层的形成过程中，所述物理气相沉积法采用的材料包括铝和氮气。

6.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为碳氮化硅。

7.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述帽盖层的材料为钴。

8.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层 包括低k介质层和超低k介质层的至少其中之一。

9.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层包括低k介质层和超低k介质层的至少其中之一。

10.如权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述通孔的形状为大马士革形孔或者双大马士革形孔。