[发明专利]一种LTCC基板组件及其共晶烧结工艺方法有效
申请号: | 201510919650.0 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN106876267B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 张群力;宋云乾;刘侨 | 申请(专利权)人: | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L23/15 |
代理公司: | 11008 中国航空专利中心 | 代理人: | 陆峰 |
地址: | 214063 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ltcc 组件 及其 烧结 工艺 方法 | ||
本发明涉及一种LTCC基板组件及其共晶烧结工艺方法,LTCC基板组件包括LTCC基板(2)、0.08mm厚预成型银锡焊片(3)、毛纽扣安装孔(即CNA8高温保护阻焊胶涂覆位置)(4)、LTCC基板结构件(5),LTCC基板组件放入至弹性定位工装(1)中构成产品件。本发明适合多尺寸的专用弹力工装,可将基板空洞率由80%以下提高到90%以上;设计毛纽扣安装孔的保护工艺,实现对不同连接器安装孔的焊接过程的精确保护,不会对后续连接器进行安装产生影响。同时采用银锡焊片作为焊接材料,可实现焊料量的高精度控制,提高产品的一致性。
技术领域
本发明涉及一种基于多空腔的LTCC基板组件低空洞共晶烧结工艺方法,属于微电子组装中钎焊工艺技术。
背景技术
受天线接口结构形式限制,瓦片组件与外部信号传输需要进行多通道信号传输,这需要一片LTCC基板具有多连接器的连接方式,以实现多通道的收发信号处理。通常采用毛纽扣作为信号传输的连接器,因毛纽扣的存在,需要排除焊料、空气的不同介质对传输性能的影响,LTCC基板与铝硅材料冷板之间焊接时需对毛纽扣安装孔进行有效保护,防止焊料材料及杂质对毛纽扣安装位置及尺寸产生影响。微波组件的工作频率较高,整体性能受散热及接地影响较大,固LTCC基板与相应铝硅材料冷板之间要求低空洞连接,确保接地及散热良好。
本发明所涉及的微波组件的尺寸更小、集成度更高,对基板焊接的空洞率提出了更高的要求。传统的LTCC基板与铝硅材料冷板之间采用导电胶粘接或者回流焊接处理。导电胶粘接虽然可以精确控制LTCC基板与载体冷板之间的胶量及形态,降低对连接器安装孔的影响,但导电胶粘接的电阻率大,导热系数小,造成微波损耗大、管芯热阻大、结温高,导致组件功率性能及可靠性等方面受到影响。
对LTCC基板与铝硅冷板之间进行回流焊接时,一般采用热风回流焊接或红外回流焊接进行,但受设备能力限制及焊膏的复杂成分影响,进行回流焊接时难以满足基板低于15%以下的空洞率要求,同时因毛纽扣尺寸较小,其放置位置的孔洞很难进行有效保护,是一直存在的工艺难题。
发明内容
发明的目的
针对现有工艺技术的不足出发,设计一种可达满足LTCC电路基板散热及接地要求的LTCC基板组件共晶烧结工艺方法,且不对连接器安装孔产生影响,同时可精确控制焊料量,提高产品一致性。
技术方案
如图1、图2所示,一种LTCC基板组件,涉及有弹性定位工装1及LTCC基板组件,LTCC基板组件包括LTCC基板2、成型银锡焊料片3、连接器的安装孔4及LTCC基板结构件5,LTCC基板结构件5含有多个连接器的安装孔4,LTCC基板2含有多个芯片安装槽,LTCC基板2、预成型银锡焊料片3共同装配至LTCC基板结构件5中,其中带有LTCC基板组件和弹性定位工装1的加工件为产品件。
一种LTCC基板组件共晶烧结工艺方法主要是通过采用合适尺寸的预成型银锡焊料片3作为焊接材料,并设计LTCC基板组件使用的弹性定位工装1以施加基板焊接过程的作用力及定位,对局部连接器的安装孔4设计高温阻焊保护工艺,最后通过设计LTCC基板组件银锡共晶烧结过程的工艺曲线,进行LTCC基板2与LTCC基板结构件5之间进行共晶烧结,实现无安装孔污染的LTCC基板2与LTCC基板结构件5之间的低空洞共晶烧结。
所述一种LTCC基板组件共晶烧结工艺方法实施过程如下:
步骤1:根据需要共晶烧结的LTCC基板结构件5的结构图纸,加工可对不同厚度共晶烧结产品提供固定压力、高精度定位,同时可以良好传热的弹性定位工装1,弹性定位工装1需在LTCC基板结构件5上连接器的安装孔4位置预留高温保护阻焊胶涂覆位置;
步骤2:按LTCC基板结构件5相同的尺寸加工出与弹性定位工装1所施加压力相匹配的一定厚度的预成型银锡焊料片3;
步骤3:将步骤1所述的弹性定位工装1进行超声清洗留作备用;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造