[发明专利]具有堆叠的单独封装的功率器件的集成功率组件

权利要求书

1.一种集成功率组件，包括：

第一引线框架，具有部分刻蚀段；

第一半导体裸片，被配置用于附接到所述第一引线框架的部分刻 蚀段；

第二引线框架，具有耦合到所述第一半导体裸片的上表面的无腿 导电夹；

第三引线框架，在所述第二引线框架之上并且具有部分刻蚀段；

第二半导体裸片，被配置用于附接到所述第三引线框架的所述部 分刻蚀段；

其中所述第二半导体裸片通过所述第三引线框架的所述部分刻 蚀段被耦合到所述第一半导体裸片。

2.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第三引线框 架的所述部分刻蚀段位于所述第二引线框架的所述无腿导电夹上。

3.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第一半导体 裸片包括低侧晶体管，并且所述第二半导体裸片包括以半桥的方式耦 合到所述低侧晶体管的高侧晶体管。

4.根据权利要求3所述的集成功率组件，其中所述高侧晶体管 和所述低侧晶体管中的至少一个包括硅。

5.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第一半导体 裸片包括IV族晶体管，并且所述第二半导体裸片包括与所述IV族晶 体管共源共栅的III-V族晶体管。

6.根据权利要求5所述的集成功率组件，其中所述IV族晶体管 包括硅。

7.根据权利要求5所述的集成功率组件，其中所述III-V族晶体 管包括氮化镓(GaN)。

8.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第一半导体 裸片包括第一功率开关，所述第一功率开关具有在所述第一半导体裸 片的下表面上的栅极电极和源极电极以及在所述第一半导体裸片的 所述上表面上的漏极电极。

9.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第二半导体 裸片包括第二功率开关，所述第二功率开关具有在所述第二半导体裸 片的下表面上的栅极电极和源极电极以及在所述第二半导体裸片的 上表面上的漏极电极。

10.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第二半导体 裸片包括第二功率开关，所述第二功率开关具有在所述第二半导体裸 片的下表面上的源极电极以及在所述第二半导体裸片的上表面上的 栅极电极和漏极电极。

11.一种集成功率组件，包括：

第一半导体封装，具有被配置用于附接到第一引线框架的部分刻 蚀段的第一功率开关和第二引线框架，所述第二引线框架具有耦合到 所述第一功率开关的上表面的无腿导电夹；

第二半导体封装，在所述第一半导体封装之上并且具有被配置用 于附接到第三引线框架的部分刻蚀段的第二功率开关；

其中所述第二功率开关通过所述第三引线框架的所述部分刻蚀 段被耦合到所述第一功率开关。

12.根据权利要求11所述的集成功率组件，其中所述第三引线 框架的所述部分刻蚀段位于所述第二引线框架的所述无腿导电夹上。

13.根据权利要求11所述的集成功率组件，其中所述第一功率 开关包括低侧晶体管，并且所述第二功率开关包括以半桥的方式耦合 到所述低侧晶体管的高侧晶体管。

14.根据权利要求13所述的集成功率组件，其中所述高侧晶体 管和所述低侧晶体管中的至少一个包括硅。

15.根据权利要求11所述的集成功率组件，其中所述第一功率 开关包括IV族晶体管，并且所述第二功率开关包括与所述IV族晶体 管共源共栅的III-V族晶体管。

16.根据权利要求15所述的集成功率组件，其中所述IV族晶体 管包括硅。

17.根据权利要求15所述的集成功率组件，其中所述III-V族晶 体管包括氮化镓(GaN)。