[发明专利]脉冲信号输出电路和移位寄存器有效
申请号: | 201510910099.3 | 申请日: | 2011-02-25 |
公开(公告)号: | CN105553462B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 天野圣子;丰高耕平;三宅博之;宫崎彩;宍户英明;楠纮慈 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/0944;H03K23/44;H01L21/288;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/04;H01L29/786;G09F9/30;G09G3/36 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 叶晓勇;姜甜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脉冲 信号 输出 电路 移位寄存器 | ||
本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度
技术领域
本公开的发明涉及脉冲信号输出电路和移位寄存器。
背景技术
形成于诸如玻璃衬底之类的平板之上并且典型地用于液晶显示装置的晶体管通常包括诸如非晶硅或多晶硅之类的半导体材料。虽然包括非晶硅的晶体管具有低的场效应迁移率,但是它们能够形成于较大的玻璃衬底之上。相反,尽管包括多晶硅的晶体管具有高的场效应迁移率,但是它们需要诸如激光退火之类的结晶过程,并且不一定适合于较大的玻璃衬底。
另一方面,包括氧化物半导体作为半导体材料的晶体管引起了关注。例如,专利文献1和2公开了一种技术,通过该技术,利用氧化锌或In-Ga-Zn-O类氧化物半导体作为半导体材料来形成晶体管,并且其用作图像显示装置的开关元件。
在沟道区包括氧化物半导体的晶体管具有比包括非晶硅的晶体管更高的场效应迁移率。另外,氧化物半导体膜能够以300℃或更低的温度通过溅射等来形成,并且其制造过程比包括多晶硅的晶体管更简单。
包括氧化物半导体的这样的晶体管被期望用作包括在诸如液晶显示器、电致发光显示器以及电子纸之类的显示装置的像素部分和驱动器电路中的开关元件。例如,非专利文献1公开了一种技术,通过该技术,显示装置的像素部分和驱动器电路包括包含氧化物半导体的晶体管。
注意,包括氧化物半导体的晶体管全部是n沟道晶体管。因此,在驱动器电路包括包含氧化物半导体的晶体管的情况下,驱动器电路仅仅包括n沟道晶体管。
[专利文献]
专利文献1:日本专利申请公开No. 2007-123861
专利文献2:日本专利申请公开No. 2007-096055
[非专利文献]
非专利文献1:T.Osada
发明内容
例如,用于显示装置等中的驱动器电路包括具有脉冲信号输出电路的移位寄存器。在移位寄存器包括具有相同导电型的晶体管的情况下,例如,移位寄存器可能存在不稳定运行的问题。
鉴于以上问题,本发明的一个实施例的目的在于提供能够稳定操作的脉冲信号输出电路和包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。
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