[发明专利]脉冲信号输出电路和移位寄存器有效
| 申请号： | 201510910099.3 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105553462B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 天野圣子;丰高耕平;三宅博之;宫崎彩;宍户英明;楠纮慈 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/0944;H03K23/44;H01L21/288;H01L27/12;H01L27/32;H01L29/04;H01L29/786;G09F9/30;G09G3/36 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲 信号 输出 电路 移位寄存器 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，
具有第1至第8晶体管，
所述第1至第8晶体管为相同极性，
所述第1晶体管的源极或漏极中的一个与所述第2晶体管的源极或漏极中的一个直接连接，
所述第3晶体管的源极或漏极中的一个与所述第4晶体管的源极或漏极中的一个直接连接，
所述第4晶体管的栅极与所述第2晶体管的栅极直接连接，
所述第5晶体管的源极或漏极中的一个与所述第3晶体管的源极或漏极中的一个直接连接，
所述第5晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1晶体管的栅极直接连接，
所述第6晶体管的源极或漏极中的一个与所述第2晶体管的栅极直接连接，
所述第7晶体管的源极或漏极中的一个与所述第8晶体管的源极或漏极中的一个直接连接，
所述第2晶体管的源极或漏极中的另一个与第1布线直接连接，
所述第4晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1布线直接连接，
所述第8晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1布线直接连接，
所述第5晶体管的栅极与第2布线直接连接，
所述第6晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第2布线直接连接，
所述第7晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第2布线直接连接，
所述第3晶体管的W/L与所述第5晶体管的W/L大致相等，其中W为沟道宽度以及L为沟道长度。
2.一种半导体装置，其特征在于，
具有第1至第8晶体管，
所述第1至第8晶体管为相同极性，
所述第1晶体管的源极或漏极中的一个与所述第2晶体管的源极或漏极中的一个直接连接，
所述第3晶体管的源极或漏极中的一个与所述第4晶体管的源极或漏极中的一个直接连接，
所述第4晶体管的栅极与所述第2晶体管的栅极直接连接，
所述第5晶体管的源极或漏极中的一个与所述第3晶体管的源极或漏极中的一个直接连接，
所述第5晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1晶体管的栅极直接连接，
所述第6晶体管的源极或漏极中的一个与所述第2晶体管的栅极直接连接，
所述第7晶体管的源极或漏极中的一个与所述第8晶体管的源极或漏极中的一个直接连接，
所述第2晶体管的源极或漏极中的另一个与第1布线直接连接，
所述第4晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1布线直接连接，
所述第8晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第1布线直接连接，
所述第5晶体管的栅极与第2布线直接连接，
所述第6晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第2布线直接连接，
所述第7晶体管的源极或漏极中的另一个与所述第2布线直接连接
所述第1晶体管的W/L大于所述第4晶体管的W/L，其中W为沟道宽度以及L为沟道长度，
所述第3晶体管的W/L与所述第5晶体管的W/L大致相等。
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