[发明专利]一种覆晶薄膜（COF）封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体技术领域，尤其涉及一种覆晶薄膜(COF) 封装方法，特别涉及一种覆晶薄膜(COF)封装方法。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能 化以及高可靠性方向发展，而集成电路封装直接影响着集成电路、电 子模块乃至整机性能，在集成电路晶片尺寸逐步缩小、集成度不断提 高的情况下，电子工业对集成电路封装结束提出了越来越高的要求。

目前的芯片通过底填方式倒装在作为载体的柔性电路板(薄膜) 上，芯片与膜上覆盖的金属层通过金属柱相连，与外界电性连接。典 型的覆晶薄膜(COF)的方法流程包括：浇铸法制无胶FCCL、制作 精细线路、涂覆阻焊层、焊盘镀Ni/Au、IC安装、被动元件焊接(回 流焊)、LCD面板安装等步骤。

但在上述方法中，在芯片上制备较高的凸点(bump)时，存在 一些影响芯片制造良率的问题：

(1)凸点(bump)的高度控制IC芯片下方的凸点(bump)难 以控制其高度完全一致，高低不平易使芯片失效；

(2)在膜上生产凸点(bump)其制备方法较难。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，本发明提供一种覆晶薄膜 (COF)封装方法。

本发明提供了一种覆晶薄膜(COF)封装方法，包括：

提供一待封装芯片；

提供一待封装柔性电路板，并在所述柔性电路板金属层上形成多 个第一金属凸点；

在所述第一金属凸点上涂上异方向性导电胶柱；

将所述多个第一金属凸点和所述芯片功能区相向对应并通过所述 异方向性导电胶柱连接；

在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封 体。

与现有技术相比，本发明提供的覆晶薄膜(COF)封装方法，既 能解决现有结构中凸点高度难以控制且其制备方法较难的问题，又能 降低成本，提高封装效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面 将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而 易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域 普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些 附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的覆晶薄膜(COF)封装方法的一种实施例的 方法流程图；

图2-图6为图1提供的覆晶薄膜(COF)封装方法的一种实施例 的结构示意图。

图7为本发明提供的覆晶薄膜(COF)封装方法的另一种实施例 的方法流程图；

图8-图12为图7提供的覆晶薄膜(COF)封装方法的另一种实施 例的结构示意图。

附图标记：

1-芯片；2-柔性电路板；3-金属层；4-导电胶柱；

5-第一金属凸点；6-第二金属凸点；7-焊盘；8-塑封体。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解 的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发 明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与 发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例 中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本 申请。

第一实施例：

如图1，本实施例提供了一种覆晶薄膜(COF)封装方法，包括：

S10：提供一待封装芯片；

S20：提供一待封装柔性电路板，并在柔性电路板金属层上形成多 个第一金属凸点；

S30：在第一金属凸点上涂上异方向性导电胶柱；

S40：将多个第一金属凸点和芯片功能区相向对应并通过异方向性 导电胶柱连接；

S50：在芯片与柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封体。

首先，执行步骤S10，如图2所示，提供一待封装芯片1；

执行步骤S20，如图3所示，提供一待封装柔性电路板2，并在柔 性电路板2金属层3上形成多个第一金属凸点5；