[发明专利]一种覆晶薄膜（COF）封装方法有效
| 申请号： | 201510908404.5 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105551987A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 石磊 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 cof 封装 方法 | ||
1.一种覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，包括：
提供一待封装芯片；
提供一待封装柔性电路板，并在所述柔性电路板的金属层上形成 多个第一金属凸点；
在所述第一金属凸点上涂上异方向性导电胶柱；
将所述多个第一金属凸点和所述待封装芯片的功能区相向对应并 通过所述异方向性导电胶柱连接；
在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封 体。
2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，还包括压合所述芯片和所述柔性电路板，使所述第一金属凸点 和所述芯片的功能区对所述异方向性导电胶柱施加一个垂直方向的压 力。
3.根据权利要求1所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述异方向性导电胶柱和第一金属凸点均为圆柱形。
4.根据权利要求3所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述异方向性导电胶柱和第一金属凸点轴线在同一条直线上。
5.根据权利要求4所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述异方向性导电胶柱的截面直径大于所述第一金属凸点的截 面直径。
6.一种覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征在于，包括：
提供一待封装芯片，并在所述芯片上形成多个第二金属凸点；
提供一待封装柔性电路板，并在所述柔性电路板的金属层上形成 多个焊盘；
在所述第二金属凸点或所述焊盘上涂上异方向性导电胶柱；
将所述多个第二金属凸点和所述焊盘一一相向对应并通过所述异 方向性导电胶柱连接；
在所述芯片与所述柔性电路板之间用塑封底填料填充并形成塑封 体。
7.根据权利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，还包括压合所述芯片和所述柔性电路板，使所述第二金属凸点 和所述焊盘对所述异方向性导电胶柱施加一个垂直方向的压力。
8.根据权利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述第二金属凸点和所述异方向性导电胶柱均为圆柱形，所述 异方向性导电胶柱的圆截面直径大于所述第二金属凸点的圆截面直 径。
9.根据权利要求6所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法，其特征 在于，所述塑封体填料包覆所述第一金属凸点、所述焊盘和所述异方 向性导电胶柱。
10.根据权利要求6-9任一所述的覆晶薄膜(COF)的封装方法， 其特征在于，所述塑封体填料的材料为环氧树脂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
