[发明专利]一种半导体抓取装置在审
申请号: | 201510901611.8 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN105336657A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 张文斌;刘国敬;王仲康;杨生荣 | 申请(专利权)人: | 北京中电科电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100176 北京市经*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 抓取 装置 | ||
技术领域
本发明涉及工装夹具领域,尤其涉及一种半导体抓取装置。
背景技术
在半导体专用设备制造过程中,实现半导体的自动取、放和自动传输是一项关键技术。在现代化的生产设备中,常见的对半导体的抓取装置有:夹持式抓取装置、真空吸盘吸附式抓取装置等。其中,由于夹持式抓取装置容易造成半导体(例如超薄晶片)的损坏,因此,真空吸盘吸附式抓取装置受到更多厂家的青睐。在实际操作中,需要使真空吸盘与放置半导体的工作台面保持一定的平行度,而工作台为耗材,容易磨损,会引起工作台面的角度变化,在现有技术中,为了调整真空吸盘与半导体工作台面的平行度,需要通过调整机械臂底座的顶丝来调整机械臂的倾角和高度,以保证真空吸盘与半导体工作台面的平行度,然而角度和高度的调整尺寸难以把握,费时费力,影响工作效率。此外,现有技术中的真空吸盘吸附式抓取装置结构较为复杂,零件加工难度大,生产成本高。
发明内容
本发明实施例提供一种半导体抓取装置,以解决现有技术中的真空吸盘与半导体工作台面的平行度的调整过程繁琐以及真空吸盘吸附式抓取装置的结构复杂的问题。
为了解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
本发明实施例提供了一种半导体抓取装置,包括:
一手爪关节,所述手爪关节与机械臂固定连接,且所述手爪关节的下端面上开设有一凹槽;
设置于所述凹槽中的万向节,所述万向节的第一端与所述手爪关节固定连接;
竖直设置的摆臂,所述摆臂的第一端与所述万向节的第二端固定连接;
与所述摆臂的第二端固定连接的法兰;以及
水平设置的真空吸盘,所述真空吸盘与所述法兰固定连接。
进一步的,所述凹槽为一锥形凹槽,所述凹槽在所述下端面上的开口直径大于槽底直径,在所述凹槽中,所述万向节的第二端能够360°旋转和摆动。
进一步的,所述法兰上开设有第一通孔,所述第一通孔的中轴线垂直于所述真空吸盘,所述摆臂的第二端旋入在部分所述第一通孔中;所述法兰的侧面开设有一用于与真空设备连接的第二通孔,所述第二通孔与所述第一通孔相连通。
进一步的,所述真空吸盘包括:与所述法兰固定连接的第一吸盘部,所述第一吸盘部上开设有第三通孔,所述第三通孔与所述第一通孔相连通;以及用于抓取半导体的第二吸盘部,所述第二吸盘部设置在所述第一吸盘部背离所述法兰的一面,其中,所述真空设备依次通过所述第二通孔、所述第一通孔以及所述第三通孔使所述第二吸盘部周围预定范围内的气压小于大气压。
进一步的,所述第一吸盘部的材料为可加工陶瓷。
进一步的,所述第二吸盘部材料为微孔陶瓷。
进一步的,所述万向节为挠性万向节。
本发明的有益效果是:
本发明实施例提供的半导体抓取装置包括:与机械臂连接的手爪关节,与手爪关节连接的万向节,与所述万向节连接的摆臂,与摆臂连接的法兰以及与法兰连接的真空吸盘,其中,设置在手爪关节下端面上的万向节能够360度旋转和摆动,这样在真空吸盘抓取工作台面上的半导体时,真空吸盘通过万向节的性能可自动调整与工作台面的平行度,而不必人为调整,且调整速度快,在节约人力的同时,提高工作效率,且本发明实施例提供的半导体抓取装置结构简单,运行平稳,易于控制。
附图说明
图1表示本发明实施例提供的半导体抓取装置的结构示意图;
图2表示本发明实施例提供的半导体抓取装置的剖面示意图。
附图标记说明如下:
1、手爪关节;2、万向节;3、摆臂;4、法兰;5、真空吸盘;101、凹槽;401、第一通孔;402、第二通孔;501、第一吸盘部;502、第二吸盘部;503、第三通孔。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。虽然附图中显示了本发明的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明,并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本发明实施例提供了一种半导体抓取装置,如图1和图2所示,该半导体抓取装置包括:一手爪关节1、一万向节2、一摆臂3、一法兰4以及一真空吸盘5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中电科电子装备有限公司,未经北京中电科电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510901611.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构的形成方法
- 下一篇:半导体设备腔室状态显示控制的方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造