[发明专利]一种焊接IGBT模块的方法有效
| 申请号: | 201510900654.4 | 申请日: | 2015-12-08 |
| 公开(公告)号: | CN106856180B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
| 发明(设计)人: | 常桂钦;方杰;窦泽春;彭勇殿;刘国友;李继鲁;肖红秀;曾雄 | 申请(专利权)人: | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 刘华联;龙威壮 |
| 地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 焊接 igbt 模块 方法 | ||
本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法,其包括以下步骤:步骤一:将拱形的基板展平并固定在平板上,所述基板的凸出面抵接于平板;步骤二:在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层;步骤三:将衬板覆盖在所述衬板焊料层上;步骤四:将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化,然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化,使模块封装后达到规定的基板拱度值,在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数,基板拱度合格率提高。
技术领域
本发明涉及一种焊接技术,特别涉及一种焊接IGBT模块的方法。
背景技术
如图1所示,目前IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块1包括基板2以及设置在基板2上的多个芯片单元。每个芯片单元包括依次层叠的芯片6、芯片焊层5、衬板4、衬板焊层3。衬板焊层3用于连接衬板4和基板2。芯片6之间通过横向延伸的引线形成连接。衬板4之间通过功率端子形成相互连接。
基板2是IGBT模块1散热的主要通道,基板2在安装到散热器上之前都应具有一定的拱度。基板2通常安装在散热器上,其向外凸出的一面与散热器相抵接。基板2的边缘设置多个连接基板2和散热器的螺钉以将基板2固定到散热器上,又由于基板2具有一定的拱度,由此,基板2和散热器之间的间隙更小更均匀,基板2和散热器之间的导热能力更强。为了提高散热效果,通常在该间隙内填充导热硅脂。
基板2的拱度设计需考虑模块封装工艺过程,基板2与衬板4焊接是由焊料连接,焊料历经预热、融化、冷却的过程,焊料固态、液态、固态相变会使零部件承受一定的应力,这种分子间的结合力对基板2的变形作用较明显。若基板2与衬板焊层3相连接的面为平面,就会使焊接过程中基板2整体受力不均匀,引起基板2背面的拱度变化不规则,产生基板2背面翘曲,影响IGBT模块1的散热,严重情况下会产生模块过热失效。
现有的基板2的一面凹陷,另一面凸起。基板2的拱度通常保持在几十至几百微米的范围内。通常在基板2成型后,再采用冲压(或模具)和精加工的方式来加工出基板2上的拱度。
基板2主要由铜、陶瓷或其它金属材料制成。目前的基板2拱度控制方法主要从基板2初始拱度设计、焊料选型、焊接工艺参数三个方面出发,适宜的基板2拱度设计与相匹配的焊料,不同拱度值的基板2使用的焊料和工艺参数不同。
在现有的封装工艺条件下,对基板2拱度控制存在以下缺点:
(1)基板2拱度值仅依据基板2初始拱度设计值,不考虑工艺过程与工艺参数控制,封装完成后的基板2拱度值即是IGBT模块1出厂的基板2拱度。基板2拱度值较宽泛,在模块使用时需要在基板2背面涂覆较厚的导热硅脂,以确保模块与散热器接触良好,对模块的散热有一定的影响;
(2)由于材料间热膨胀系数不一致,若基板2尺寸较大,由于基板2的拱度存在,模块焊接过程基板2受热不均匀,模块经历高温过程后形成基板2背面局部凹凸不平,基板2扭曲变形较严重,基板2局部拱度过大,影响模块散热性能;
(3)若衬板4大小不一致,焊层分布不均匀,在焊接工艺过程中基板2受力也会不均,进而引起基板2拱度变化不规则,基板2的拱度较难控制;
(4)由于基板2存在拱度,在焊接时,基板2的凸出面的顶点(一般在中心位置)与加热板接触,拱度较小的区域不与加热板接触。加热过程中热量自加热板传递给基板2,靠近中心位置的焊料最先熔化,焊料熔化后,向基板2中心位置流动。熔化后的焊料在基板2表面流动性不一,导致冷却后衬板焊层3厚度不一致,在同一衬板4下方,靠近基板2中心区域的衬板焊层3偏厚,而远离中心区域的衬板焊层3较薄;
(5)基板2与加热板在基板2拱度较大位置接触,其余区域与热板没有接触。热量由热板向基板2传递需要提高热板的温度,使基板2区域间存在温差,进而驱动热量向基板2温度较低的区域传导,加热时间延长,且热板温度提升需要消耗更多的能量,降低了焊接效率;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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