[发明专利]一种焊接IGBT模块的方法有效
| 申请号： | 201510900654.4 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106856180B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 常桂钦;方杰;窦泽春;彭勇殿;刘国友;李继鲁;肖红秀;曾雄 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 刘华联;龙威壮 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 焊接 igbt 模块 方法 | ||
1.一种焊接IGBT模块的方法，所述方法包括以下步骤：
步骤一：将拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；
步骤二：在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层；
步骤三：将衬板覆盖在所述衬板焊料层上；
步骤四：将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化，然后冷却所述衬板焊料层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤一中，在所述基板的边缘部分上设置多个用于连接所述平板和所述基板的螺钉以将所述基板紧固在所述平板上。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤四中，在衬板焊料层的温度上升到衬板焊料层的熔点之前，加热板的升温速率为0.5～2℃/s。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤四中，在冷却过程中，衬板焊料层的降温速度为1～3℃/s。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤四中，在真空环境中进行加热。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬板包括依次层叠的第一金属层、绝缘层和第二金属层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述绝缘层由氧化铝、氮化铝、氧化铍、碳化硅或四氮化三硅制成。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬板焊料层为层状的锡膏或箔状的焊锡。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，在步骤三之后步骤四之前，还在所述衬板上设置焊料以形成厚度均匀的芯片焊料层，所述芯片焊料层的熔点低于所述衬板焊料层的熔点，将芯片覆盖在所述芯片焊料层上，
在步骤四中，所述芯片焊料层与所述衬板焊料层一同被加热直至均熔化，然后同时冷却所述芯片焊料层和所述衬板焊料层。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在加热时，所述加热板与所述平板之间的界面处的热流密度分布均匀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
