[发明专利]产生半导体电路布局的方法和系统有效
| 申请号: | 201510888195.2 | 申请日: | 2015-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN105718623B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
| 发明(设计)人: | 朴哲弘;金秀贤;S.迪帕克 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 产生 半导体 电路 布局 方法 系统 | ||
1.一种产生电子电路布局数据的方法,该方法包括:
在电子存储介质中电子地提供代表包括第一缩放增强电路布局的第一标准单元布局的数据;
使用标注器层电子地定义在第一标准单元布局中包括的第一缩放增强电路布局;
电子地将第一缩放增强电路布局替换为第二缩放增强电路布局以在电子存储介质中电子地产生代表第二标准单元布局的数据;以及
使用标注器层定义的位置电子地校验代表第二标准单元布局的数据。
2.如权利要求1所述的方法,其中第一标准单元布局包括:具有参照第一缩放增强电路布局的第一区域的第三标准单元布局;具有参照第一缩放增强电路布局的第二区域的第四标准单元布局;以及
其中电子地替换包括:将第一区域和第二区域所参照的第一缩放增强电路布局替换为第二缩放增强电路布局。
3.如权利要求1所述的方法,其中第一标准单元布局包括:具有其中布置第一缩放增强电路布局的第一区域的第三标准单元布局;具有其中布置第一缩放增强电路布局的第二区域的第四标准单元布局;以及
其中电子地替换包括:
将在第三标准单元布局中布置的第一缩放增强电路布局替换为第二缩放增强电路布局;以及
将在第四标准单元布局中布置的第一缩放增强电路布局替换为第二缩放增强电路布局。
4.如权利要求1所述的方法,还包括:
使用第二标准单元布局电子地更新代表逻辑块布局的数据。
5.如权利要求4所述的方法,其中电子地更新包括:从逻辑块布局中电子地移除第一缩放增强电路布局;以及然后
在从其中电子地移除第一缩放增强电路布局的位置上电子地放置第二缩放增强电路布局。
6.如权利要求1所述的方法,其中第二标准单元布局具有第一区域以及与第一区域位置相邻的第二区域,其中电子地替换还包括:
将在第二标准单元布局的第一区域中的第一缩放增强电路布局替换为第二缩放增强电路布局;以及
使用设计规则电子地产生第二标准单元布局的第二区域。
7.如权利要求6所述的方法,其中以图形数据库系统(GDS)文件、GDS实例文件和/或硬宏文件来提供第二缩放增强电路布局。
8.如权利要求1所述的方法,其中第一标准单元布局具有第一区域以及与第一区域位置相邻的第二区域,其中第一缩放增强电路布局包括第一区域中的设计规则违反层,并且代表根据设计规则的电路布局的数据在第二区域中。
9.一种产生电子电路布局数据的方法,该方法包括:
在电子存储介质中电子地提供代表包括第二设计规则违反层的第二缩放增强电路布局的数据;
电子地提供代表包括第一缩放增强电路布局的第一标准单元布局的数据,第一缩放增强电路布局不同于第二缩放增强电路布局并且包括电子存储介质中的第一设计规则违反层,
电子地将第一缩放增强电路布局替换为第二缩放增强电路布局以电子地产生第二标准单元布局;以及
电子地校验第二标准单元布局。
10.如权利要求9所述的方法,还包括:
使用标注器层电子地定义在第一标准单元布局中包括的第一缩放增强电路布局。
11.如权利要求9所述的方法,其中第一标准单元布局具有第一区域以及与第一区域位置相邻的第二区域,第一缩放增强电路布局被布置在第一区域中,并且根据设计规则的电路布局被布置在第二区域中。
12.如权利要求11所述的方法,其中电子地替换还包括:
电子地将在第一标准单元布局的第一区域中布置的第一缩放增强电路布局替换为第二缩放增强电路布局。
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