[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201510883645.9 | 申请日: | 2015-12-04 |
公开(公告)号: | CN105742267A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 武田博充 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李罡;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,
具有布线基板、半导体芯片、导线、密封体以及焊球,
所述布线基板具有:芯层,具有上表面和下表面;多个球栅,形成在所述芯层的所述下表面;阻焊膜,覆盖所述芯层的所述下表面;过孔导体层,贯通所述芯层,与所述球栅连接;以及上表面布线,形成在所述芯层的所述上表面,在所述上表面布线的一端具有键合区,所述上表面布线的另一端与所述过孔导体层连接,
所述半导体芯片配置在所述布线基板之上,且具有键合焊盘,
所述导线连接所述键合焊盘与所述键合区,
所述密封体对所述半导体芯片和所述导线进行密封,
所述焊球与所述球栅连接,
所述阻焊膜具有使所述芯层的所述下表面露出的削除部,
所述上表面布线具有:细线部,具有第一布线宽度;以及粗线部,具有比所述第一布线宽度大的第二布线宽度,
在俯视时所述粗线部与所述削除部重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述削除部为角部呈圆弧状的大致四边形。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述削除部为圆形。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
在所述上表面布线的延伸方向上,所述上表面布线的所述粗线部横穿所述削除部。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述削除部在俯视时与所述半导体芯片重叠。
6.一种半导体装置,其特征在于,
具有布线基板、半导体芯片、导线、密封体以及焊球,
所述布线基板具有:芯层,具有上表面和下表面;多个球栅,形成在所述芯层的所述下表面;阻焊膜,覆盖所述芯层的所述下表面;过孔导体层,贯通所述芯层,与所述球栅连接;以及第一上表面布线和第二上表面布线,形成在所述芯层的所述上表面,在所述第一上表面布线和第二上表面布线的一端具有键合区,所述第一上表面布线和第二上表面布线的另一端与所述过孔导体层连接,
所述半导体芯片配置在所述布线基板之上,并具有键合焊盘,该键合焊盘形成在具有第一边、第二边、第三边以及第四边的四边形的主面上,
所述导线连接所述键合焊盘与所述键合区,
所述密封体对所述半导体芯片和所述导线进行密封,
所述焊球与所述球栅连接,
所述阻焊膜具有使所述芯层的所述下表面露出的第一削除部和第二削除部,
所述第一上表面布线横穿所述第一削除部而延伸,所述第二上表面布线横穿所述第二削除部而延伸,
所述第一削除部和所述第二削除部沿着所述半导体芯片的所述第一边,在所述第一边的延伸方向上并列配置。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
在所述第一边的延伸方向上,所述第一削除部的宽度比所述第一削除部与所述第二削除部的间隔小。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
从所述第一边到所述第一削除部为止的距离比从所述第一边到所述第二削除部为止的距离小。
9.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述第一削除部和所述第二削除部在俯视时与所述半导体芯片重叠。
10.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述第一削除部和所述第二削除部为角部呈圆弧状的大致四边形。
11.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
所述第一上表面布线具有:细线部,具有第一布线宽度;以及粗线部,具有比所述第一布线宽度大的第二布线宽度,
在俯视时,所述粗线部横穿所述第一削除部。
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