[发明专利]兰姆波谐振器在审
| 申请号: | 201510881554.1 | 申请日: | 2015-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN105337586A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
| 发明(设计)人: | 庞慰;张鸿翔;梁骥 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/145 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;卢军峰 |
| 地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 兰姆波 谐振器 | ||
技术领域
本发明涉及谐振器领域,具体来说,涉及一种兰姆波谐振器。
背景技术
随着人类需求的增长,未来的射频器件需要满足小型化、低功率和片上多功能等要求。近年来被广泛研究的MEMS兰姆波谐振器(Lambwaveresonator,LWR)具有其特定的声学特征和谐振结构,日益成为较满意的中频器件。在兰姆波谐振器中,因为对称兰姆波模式S0的波速较高且色散较低,因此最常被使用。然而,在兰姆波谐振器中,主模的谐振峰附近常会存在由横向传播的声波引发的寄生谐振峰。这些寄生模式会在滤波器中产生纹波和毛刺,从而降低谐振器的品质。
下面对传统的兰姆波谐振器关于横向模式进行详细阐述:
传统的氮化铝(AlN)兰姆波谐振器的结构如图1所示,由氮化铝构成的压电层上下都存在着金属钼(Mo)构成的叉指电极(如图1(b)),这样的结构是为了使谐振器获得最高的机电耦合系数()。如图1(a)所示建立直角坐标系:电极宽度方向为x轴,电极长度方向为y轴,器件厚度方向为z轴。图2(a)中,平行于x轴传播的兰姆波S0被前后自由边界反射后叠加形成驻波,这种会引发最强的电学响应的模式成为主模;如果声波以如图2(b)所示的非垂直的角度入射到边界并被反射,在谐振腔中叠加后会形成沿着y轴传播的横向模式,这种横向模式的谐振频率可被表示为:
这里vcomp是兰姆波S0在氮化铝和钼的组合层中的波速,W是叉指电极的空间周期间距(指状物的宽度和指状物之间的间距之和);fc是横向模式的截止频率;k是横向模式在y方向上的波数。公式(1)表明横向模式的频率高于其截止频率,因此兰姆波谐振器是“类型I”的器件,横向模式的色散关系如图4中的实线所示。
对于谐振器中任意的谐振模式,其机电耦合系数均能够反映谐振的强度,可由下式定义:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510881554.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种二线制延时控制开关
- 下一篇:一种低压低功耗有源混频器





