[发明专利]一种低温下设施蔬菜的育苗及生产方法

权利要求书

1.一种低温下设施蔬菜的育苗方法，包括如下步骤：

步骤1：根据种植蔬菜来选择穴盘或者营养钵或者苗床进行育苗；

采用穴盘，进行如下操作：在穴盘下铺设单面发热的远红外电热膜，远红外电热膜的散 热面朝上，其散热面用过筛细土覆盖，过筛细土的厚度为2cm，然后将穴盘置于过筛细土之 上；远红外电热膜与温控仪电性连接，温控仪用于控制远红外电热膜的温度；远红外电热膜 的宽度等于或者略大于穴盘的宽度，长度根据需加温的穴盘数确定；

采用营养钵，进行如下操作：在营养钵下铺设单面发热的远红外电热膜，远红外电热膜 的散热面朝上，其散热面用过筛细土覆盖，过筛细土的厚度为2cm，然后将营养钵置于过筛 细土之上；远红外电热膜与温控仪电性连接，温控仪用于控制远红外电热膜的温度；远红外 电热膜的宽度等于或者略大于横向摆放的营养钵的直径之和，长度为纵向摆放的营养钵直 径之和；

采用苗床，进行如下操作：在大棚内建造苗床，苗床四围做畦梗，高度范围为10-20cm； 然后在畦内向下挖5cm，铺设单面发热的远红外电热膜，远红外电热膜的散热面朝上，膜上 覆营养土5cm，远红外电热膜与温控仪电性连接，温控仪用于控制远红外电热膜的温度；

步骤2：根据种植蔬菜设置温控仪的温度阈值，令最高温度为TH，令最低温度TL，温控仪 实时采集穴盘或者营养钵或者苗床的温度T，如果温度T高于最高温度TH，则停止远红外电 热膜加热；如果温度T低于最低温度TL，则启动远红外电热膜加热。

2.根据权利要求1所述的低温下设施蔬菜的育苗方法，其特征在于：所述远红外电热膜 的功率为80瓦/m²-120瓦/m²。

3.根据权利要求1所述的低温下设施蔬菜的育苗方法，其特征在于：白天的最低温度TL 和最高温度TH分别为25℃和28℃，夜间的最低温度TL和最高温度TH分别为15℃和18℃。

4.根据权利要求1所述的低温下设施蔬菜的育苗方法，其特征在于：所述穴盘或者营养 钵或者苗床上搭建有小拱棚，小拱棚采用细竹竿作为拱架材料，其规格如下：小拱棚宽度 1m，高度1m，长度10m。

5.一种低温下设施蔬菜的生产方法，包括如下步骤：

步骤1：将双面散热的远红外电热膜垂直铺设于蔬菜栽培畦间，该远红外电热膜的宽度 为种植行距的1/4左右，长度为栽培畦的长度；远红外电热膜与温控仪电性连接，温控仪用 于控制远红外电热膜的温度；

步骤2：根据种植蔬菜设置温控仪的温度阈值，令最高温度为TH，令最低温度TL，温控仪 实时采集穴盘或者营养钵或者苗床的温度T，如果温度T高于最高温度TH，则停止对远红外 电热膜的加热；如果温度T低于最低温度TL，则启动对远红外电热膜的加热。

6.根据权利要求5所述的低温下设施蔬菜的生产方法，其特征在于：白天的最低温度TL 和最高温度TH分别为25℃和28℃，夜间的最低温度TL和最高温度TH分别为15℃和18℃。

7.根据权利要求5所述的低温下设施蔬菜的生产方法，其特征在于：所述远红外电热膜 的功率为80瓦/m²-120瓦/m²。

8.根据权利要求5所述的低温下设施蔬菜的生产方法，其特征在于：栽培操作行间还可 张挂有双面散热的远红外电热膜，该远红外电热膜的宽度为操作行间距的1/2左右，长度为 栽培畦的长度，远红外电热膜的中心高度为植株高度的三分之一。