[发明专利]一种单向高色阶一致性白光元件的制造方法

权利要求书

1.一种单向高色阶一致性白光元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.制作出整片的倒装COW结构(CHIP ON WAFER)；

S2.在所述倒装COW结构(CHIP ON WAFER)的衬底表面涂覆荧光胶层，烘烤固化,烘烤温度为120℃，烘烤时间为2.5小时：

通过旋涂或者喷涂的方法涂覆荧光胶层，单片倒装COW结构(CHIP ON WAFER)的荧光胶层的厚度波动小于10μm，相邻倒装COW结构(CHIP ON WAFER)的荧光胶层的厚度波动小于20μm；

S3.激光切割并劈裂形成倒装芯片：

S31.运用机械切割或腐蚀的方法在所述荧光胶层表面设有激光切割道，所述激光切割道与倒装COW结构(CHIP ON WAFER)的沟道图形相对齐，其宽度大于12μm；

S32.在所述激光切割道上进行激光或隐形激光切割并劈裂形成倒装芯片；

S4.提供双面胶带和治具，所述治具上设有与倒装芯片四个侧面相配合的沟道，将所述双面胶带的一面贴合到治具上；

S5.将所述倒装芯片的焊盘面与双面胶带的另一面贴合；

S6.将高反射率的白胶注入所述治具的沟道，烘烤固化；

S7.沿着所述治具的沟道切开，形成单向高色阶一致性白光元件。

2.根据权利要求1所述的单向高色阶一致性白光元件的制造方法，其特征在于，步骤S1包括以下制作流程：

S11.在一蓝宝石衬底上采用金属有机化学气相沉积依次外延生长出缓冲层、n型氮化镓层、有源层、p型限制层和p型氮化镓层；

S12.在p型氮化镓层上蒸镀银合金形成电流扩展层和光反射层；

S13.腐蚀出N-粘结金属层位置，采用电感耦合等离子刻蚀以暴露出n型氮化镓层台面，然后在n型氮化镓层台面上蒸镀枝状金属层；

S14.通过等离子增强化学气相沉积绝缘层；

S15.刻蚀出P-粘结金属层、N-粘结金属层通孔位置，分别蒸镀P-粘结金属层和N-粘结金属层；

S16.对蓝宝石衬底进行研磨、抛光。

3.根据权利要求1所述的单向高色阶一致性白光元件的制造方法，其特征在于：所述荧光胶层采用硅树脂灌封胶和红色荧光粉加黄绿荧光粉调配而成。

4.根据权利要求1所述的单向高色阶一致性白光元件的制造方法，其特征在于：步骤S5中利用固晶机将所述倒装芯片陈列排布在双面胶带的另一面上并与其贴合。

5.根据权利要求1所述的单向高色阶一致性白光元件的制造方法，其特征在于：步骤S6中通过钢网采用丝网印制工艺将高反射率的白胶注入所述治具的沟道。

6.根据权利要求1或5所述的单向高色阶一致性白光元件的制造方法，其特征在于：步骤S6中的烘烤温度为150℃，烘烤时间为3小时。

7.根据权利要求1所述的单向高色阶一致性白光元件的制造方法，其特征在于：步骤S7中利用机械切割机沿着所述治具的沟道将步骤S6所得成品切开，所述治具上预设有切割方向的划痕。