[发明专利]一种1D位场异常曲线构建2D位场异常剖面的方法在审

专利信息
申请号: 201510870525.5 申请日: 2015-12-01
公开(公告)号: CN105425307A 公开(公告)日: 2016-03-23
发明(设计)人: 沈鸿雁;严月英 申请(专利权)人: 西安石油大学
主分类号: G01V3/38 分类号: G01V3/38;G01V1/30
代理公司: 西安西达专利代理有限责任公司 61202 代理人: 第五思军
地址: 710065 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 异常 曲线 构建 剖面 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于位场数据处理技术领域,特别涉及一种1D位场异常曲线构建2D位场异常剖面的方法。

背景技术

位场包括重力场、磁场和电场,位场的异常是来自不同深度、不同尺度场源体综合响应及共同叠加的结果。受位场勘探方法理论自身的限制,野外位场数据采集难以获得深度(维)信息,致使位场异常的地质解释不够直观,从而增大了位场资料地质解释工作的难度,并降低了地质解释的准确性。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的在于提出了一种1D位场异常曲线构建2D位场异常剖面的方法,该方法具有异常信息展示直观,易于地质解释的优点。

为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:一种1D位场异常曲线构建2D位场异常剖面的方法,包括如下步骤:

第一步,将含有m个采样点,点距为Δx的一维位场异常数据读取到一维数组f中;

第二步,对一维数组f进行一维离散小波多尺度分解,一维离散小波多尺度分解正变换为:

W(a,b)=1|a|Σi=0m-1ψ*(i·Δx-ba)f(i·Δx),a0]]>

式中,ψ称为基本小波(也称为母小波);ψ*为ψ的共轭函数;a表示伸缩系数,反映特定基函数的宽度(也叫做尺度);b表示平移系数,指定沿x轴平移的位置,且并令a0=2,b0=1,j∈Z,k∈Z;Δx为点距;i=0,2,…,m-1,为采样序号;

第三步,分别提取每一尺度小波细节的高频分量,并进行一维离散小波反变换,一维离散小波多尺度分解反变换为:

f(x)=Σj=-+Σk=-+W(j,k)ψ(2-jx-k)]]>

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