[发明专利]可追踪芯片及其制作方法和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种可追踪芯片及其制作方法和电子设备。

背景技术

MEMS麦克风芯片是基于MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystem，微型机电系统)技术制造的麦克风芯片。由于MEMS麦克风芯片具有封装体积小、可靠性高以及成本低等优点，因此，已经被广泛地应用在手机、平板电脑、监听设备等各种具有语音功能的电子设备中。

现有的MEMS麦克风芯片的制作方法是先在一个硅晶圆上制作多个芯片，然后对芯片进行切割封装后形成一个个独立的MEMS麦克风芯片。但是，由于每个封装后的MEMS麦克风芯片的外观都是一样的，因此，人们无法对封装后的MEMS麦克风芯片进行辨识跟踪，也就无法根据封装后的MEMS麦克风芯片的性能来对硅晶圆进行质量参数的分析以及制作工艺的改进。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种可追踪芯片及其制作方法和电子设备，以解决现有技术中封装后的芯片无法辨识跟踪的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种可追踪芯片，所述芯片的结构层上具有第一标识和第二标识；

所述第一标识用于标识所述芯片在硅晶圆上的曝光区域，所述硅晶圆具有多个曝光区域，且同一曝光区域内的芯片的第一标识相同，不同曝光区域内的芯片的第一标识不同；

所述第二标识用于标识所述芯片在对应曝光区域内的位置信息，其中，同一曝光区域内的不同芯片的第二标识不同。

优选的，所述第一标识和第二标识位于所述芯片的同一结构层的不同区域。

优选的，所述第一标识和第二标识分别位于所述芯片的不同结构层上，在垂直于所述芯片基底的方向上，所述第一标识和第二标识的投影无交叠。

优选的，所述芯片为MEMS麦克风芯片，所述MEMS麦克风芯片包括基底层以及依次位于所述基底层顶部的第一绝缘层、振膜层、第二绝缘层和背极层；

所述基底层上具有声腔通孔；

所述第一绝缘层上对应所述声腔通孔的部位为贯穿所述第一绝缘层上下表面的第一通孔；

所述振膜层包括有效振动区和无效振动区，所述有效振动区覆盖所述声腔通孔，所述无效振动区位于所述有效振动区的周边；

所述第二绝缘层上对应所述声腔通孔的部位为贯穿所述第二绝缘层上下表面的第二通孔；

所述背极层包括背极区和背极固定区，所述背极区覆盖所述声腔通孔，所述背极固定区位于所述背极区的周边；

其中，所述第一标识位于所述背极层的背极固定区上，所述第二标识位于所述无效振动区上。

优选的，所述第一标识包括阿拉伯数字、英文字母或阿拉伯数字和英文字母的组合；所述第二标识包括阿拉伯数字、英文字母或阿拉伯数字和英文字母的组合。

一种可追踪芯片的制作方法，应用于如上任一项所述的芯片，包括：

在硅晶圆的曝光区域内的芯片上形成第二标识，以标识所述芯片在对应曝光区域内的位置信息，其中，同一曝光区域内的芯片的第二标识不同；

在所述芯片上形成第一标识，以标识所述芯片在所述硅晶圆上的曝光区域，其中，所述硅晶圆上具有多个曝光区域，同一曝光区域内的芯片的第一标识相同，不同曝光区域内的芯片的第一标识不同。

优选的，在硅晶圆的曝光区域内的芯片上形成第二标识的过程为：对所述硅晶圆进行多次曝光，以在所述硅晶圆的每个曝光区域内的芯片上形成第二标识；

在所述芯片上形成第一标识的过程为：对所述硅晶圆进行一次曝光，以在所述硅晶圆的每个曝光区域内的芯片上形成第一标识。

优选的，所述芯片为MEMS麦克风芯片，则在硅晶圆的曝光区域内的芯片上形成第二标识的过程包括：

在硅晶圆的曝光区域内的芯片表面形成第一膜层，所述芯片包括基底层和位于所述基底层表面的第一绝缘层；

在所述第一膜层上形成第一光刻胶层，并以具有第二标识图形的第一掩膜板为掩膜对所述第一光刻胶层进行曝光显影；

以所述曝光显影后的第一光刻胶层为掩膜对所述第一膜层进行刻蚀，形成具有第二标识的振膜层，所述第二标识位于所述振膜层的无效振动区。

优选的，所述芯片为MEMS麦克风芯片，则在所述芯片上形成第一标识的过程包括：

在所述芯片上形成第二绝缘层，并在所述第二绝缘层上形成覆盖整个硅晶圆的第二膜层；

在所述第二膜层的表面形成第二光刻胶层，并以具有第一标识图形的第二掩膜板为掩膜对所述第二光刻胶层进行曝光显影；