[发明专利]可追踪芯片及其制作方法和电子设备有效
申请号: | 201510861779.0 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105430585A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 蔡孟锦;田昕;郑成龙;王景雪;李江龙 | 申请(专利权)人: | 歌尔声学股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;H04R31/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 261031 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 追踪 芯片 及其 制作方法 电子设备 | ||
1.一种可追踪芯片,其特征在于,所述芯片的结构层上具有第一标识和第二标识;
所述第一标识用于标识所述芯片在硅晶圆上的曝光区域,所述硅晶圆具有多个曝光区域,且同一曝光区域内的芯片的第一标识相同,不同曝光区域内的芯片的第一标识不同;
所述第二标识用于标识所述芯片在对应曝光区域内的位置信息,其中,同一曝光区域内的不同芯片的第二标识不同。
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述第一标识和第二标识位于所述芯片的同一结构层的不同区域。
3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述第一标识和第二标识分别位于所述芯片的不同结构层上,在垂直于所述芯片基底的方向上,所述第一标识和第二标识的投影无交叠。
4.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于,所述芯片为MEMS麦克风芯片,所述MEMS麦克风芯片包括基底层以及依次位于所述基底层顶部的第一绝缘层、振膜层、第二绝缘层和背极层;
所述基底层上具有声腔通孔;
所述第一绝缘层上对应所述声腔通孔的部位为贯穿所述第一绝缘层上下表面的第一通孔;
所述振膜层包括有效振动区和无效振动区,所述有效振动区覆盖所述声腔通孔,所述无效振动区位于所述有效振动区的周边;
所述第二绝缘层上对应所述声腔通孔的部位为贯穿所述第二绝缘层上下表面的第二通孔;
所述背极层包括背极区和背极固定区,所述背极区覆盖所述声腔通孔,所述背极固定区位于所述背极区的周边;
其中,所述第一标识位于所述背极层的背极固定区上,所述第二标识位于所述无效振动区上。
5.根据权利要求1~4所述的芯片,其特征在于,所述第一标识包括阿拉伯数字、英文字母或阿拉伯数字和英文字母的组合;所述第二标识包括阿拉伯数字、英文字母或阿拉伯数字和英文字母的组合。
6.一种可追踪芯片的制作方法,其特征在于,应用于权利要求1~5任一项所述的芯片,包括:
在硅晶圆的曝光区域内的芯片上形成第二标识,以标识所述芯片在对应曝光区域内的位置信息,其中,同一曝光区域内的芯片的第二标识不同;
在所述芯片上形成第一标识,以标识所述芯片在所述硅晶圆上的曝光区域,其中,所述硅晶圆上具有多个曝光区域,同一曝光区域内的芯片的第一标识相同,不同曝光区域内的芯片的第一标识不同。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,在硅晶圆的曝光区域内的芯片上形成第二标识的过程为:对所述硅晶圆上的多个曝光区域依次进行曝光,以在所述硅晶圆的每个曝光区域内的芯片上形成第二标识;
在所述芯片上形成第一标识的过程为:对所述硅晶圆进行一次曝光,以在所述硅晶圆的每个曝光区域内的芯片上形成第一标识。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述芯片为MEMS麦克风芯片,则在硅晶圆的曝光区域内的芯片上形成第二标识的过程包括:
在硅晶圆的曝光区域内的芯片表面形成第一膜层,所述芯片包括基底层和位于所述基底层表面的第一绝缘层;
在所述第一膜层上形成第一光刻胶层,并以具有第二标识图形的第一掩膜板为掩膜对所述第一光刻胶层进行曝光显影;
以所述曝光显影后的第一光刻胶层为掩膜对所述第一膜层进行刻蚀,形成具有第二标识的振膜层,所述第二标识位于所述振膜层的无效振动区。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述芯片为MEMS麦克风芯片,则在所述芯片上形成第一标识的过程包括:
在所述芯片上形成第二绝缘层,并在所述第二绝缘层上形成覆盖整个硅晶圆的第二膜层;
在所述第二膜层的表面形成第二光刻胶层,并以具有第一标识图形的第二掩膜板为掩膜对所述第二光刻胶层进行曝光显影;
以所述曝光显影后的第二光刻胶层为掩膜对所述第二膜层进行刻蚀,形成具有第一标识的背极层,其中,所述第一标识位于所述背极层的背极固定区上,且在垂直于所述基底层的方向上,所述第一标识和所述第二标识的投影无交叠。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1~5任一项所述的可追踪芯片。
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