[发明专利]光器件的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及光器件的加工方法。

背景技术

在激光二极管(LD)和发光二极管(LED)等的光器件的制造过程中，在由蓝 宝石或SiC等构成的结晶成长用基板的上表面例如通过外延成长而制造出层级着具 有多个光器件的发光层(外延层)的光器件晶片。

LD、LED等的光器件形成于通过被设定为格子状的分割预定线而划分出的各区 域上，并且通过沿着分割预定线分割光器件晶片而分别形成为个体，制造出各个光器 件芯片。

以往，作为沿着分割预定线分割光器件晶片的方法，已知如下的方法，沿着分割 预定线对晶片照射具有吸收性的波长的脉冲激光束以形成激光加工槽，并对晶片施加 外力，从而以激光加工槽作为分割起点割断光器件晶片(参照日本特开平10-305420 号公报)。

另一方面，为了提升光器件的亮度，还提出了如下的方法，将具有透过性的波长 的脉冲激光束的聚光点对准光器件晶片的内部并对该晶片照射，以在内部形成沿着分 割预定线的改质层，并对通过该改质层而强度降低后的分割预定线施加外力，从而分 割光器件晶片(例如，参照日本特开2008-006492号公报)。

在对光器件晶片照射激光束，形成作为分割起点的激光加工槽或改质层的现有的 加工方法中，激光束大致垂直地照射在光器件晶片上。因此，所形成的光器件成为长 方体形状。

在这种长方体形状的光器件中，从正面的发光层射出的光在侧表面上进行全反射 的比例较高，存在着重复进行全反射的光最终消失于光器件内部的比例较高的课题。

为了解决该课题，在日本特开2014-17433号公报中描述了一种加工方法，使激 光束斜向射入光器件晶片以形成侧表面的角度倾斜的光器件。

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本特开2008-006492公报

专利文献3：日本特开2014-17433号公报

然而，在专利文献3所述的光器件的加工方法中，对光器件晶片的背面照射激光 束，并从晶片的背面形成沿着所设定的倾斜面且为规定深度的激光加工槽，接着，对 晶片施加外力以将光器件晶片分割为各个光器件，因此难以完美地实现在斜向延展的 裂纹(开缝)的控制，裂纹可能会偏离分割预定线而延展至光器件上。

此外，由于基于激光束的照射的磨蚀加工而产生的碎片的附着熔融再固化等，会 成为降低激光加工槽的壁面的亮度的原因。

发明内容

本发明就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种不会由于附着于激光加 工槽的壁面上的碎片和变质部降低亮度，并且能够提升光的取出效率的光器件的加工 方法。

本发明提供一种光器件的加工方法，分割光器件晶片来形成光器件，该光器件具 有：具有发光层的四边形的正面；平行于该正面的四边形的背面；以及连结该正面与 该背面的4个侧表面，该4个侧表面是分别倾斜于该正面的垂直线的倾斜面，该加工 方法的特征在于，包括：晶片准备步骤，准备光器件晶片，就该光器件晶片而言，在 正面具有该发光层，且被设定有多条交叉的分割预定线并在由该分割预定线划分出的 该发光层的各区域上分别具有光器件；倾斜面设定步骤，在光器件晶片上设定该光器 件的与该4个侧表面对应的倾斜面；激光加工步骤，在实施了该倾斜面设定步骤后， 从该发光层侧的面沿着该倾斜面对光器件晶片照射具有吸收性的波长的激光束，形成 沿着该倾斜面的激光加工槽；蚀刻步骤，在实施了该激光加工步骤后，使蚀刻液进入 到该激光加工槽内，蚀刻该激光加工槽的壁面；以及分割步骤，在实施了该蚀刻步骤 后，对光器件晶片施加外力，将光器件晶片分割为各个光器件。

光器件的加工方法优选还包括：保护膜形成步骤，在实施该激光加工步骤之前， 在光器件晶片的正面形成保护膜；以及保护膜除去步骤，在实施了该激光加工步骤后， 去除该保护膜。

在本发明的光器件的加工方法中，从发光层的某个正面按照规定深度形成倾斜的 激光加工槽，并对所形成的激光加工槽进行蚀刻，从而能够去除碎片和变质部，因此 能够在不降低亮度的情况下，可靠地沿着分割预定线将光器件晶片分割为各个光器 件，并能够提供一种提升了光的取出效率的光器件。

附图说明

图1是光器件晶片的正面侧立体图。

图2是说明倾斜面设定步骤的光器件晶片的剖视图。

图3是说明激光加工步骤的立体图。