[发明专利]高发光效率发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510855764.3 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105514233A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 效率 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种高发光效率发光二极管外延片，所述高发光效率发光二极管外延片 包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子 阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替 生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；
其特征在于，所述P型AlGaN层包括依次覆盖在所述多量子阱有源层上的 第一P型AlGaN子层、u型GaN子层和第二P型AlGaN子层，所述u型GaN 子层的厚度为所述P型AlGaN层的厚度的1/50-1/40。
2.根据权利要求1所述的高发光效率发光二极管外延片，其特征在于，所 述u型GaN子层的厚度为D，0.6nm≤D≤2nm。
3.根据权利要求1所述的高发光效率发光二极管外延片，其特征在于，所 述第一P型AlGaN子层的厚度为d1，所述第二P型AlGaN子层的厚度为d2， d2/d1的范围为1/13-1/9。
4.根据权利要求3所述的高发光效率发光二极管外延片，其特征在于，30nm ≤d1+d2≤80nm，3nm≤d2≤6nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的高发光效率发光二极管外延片，其特征 在于，所述N型GaN层的厚度为1～4μm，所述P型GaN载流子层的厚度为 100～500nm。
6.一种高发光效率发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述方法包 括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括交替 生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；
在所述多量子阱有源层上生长P型AlGaN层，所述P型AlGaN层包括依次 覆盖在所述多量子阱有源层上的第一P型AlGaN子层、u型GaN子层和第二P 型AlGaN子层，所述u型GaN子层的厚度为所述P型AlGaN层的厚度的 1/50-1/40；
在所述P型AlGaN层上生长P型GaN载流子层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述u型GaN子层的厚度为 D，0.6nm≤D≤2nm。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一P型AlGaN子层 的厚度为d1，所述第二P型AlGaN子层的厚度为d2，d2/d1的范围为1/13-1/9。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，30nm≤d1+d2≤80nm，3nm ≤d2≤6nm。
10.根据权利要求6-9任一项所述的方法，其特征在于，所述N型GaN层 的厚度为1～4μm，所述P型GaN载流子层的厚度为100～500nm。
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