[发明专利]一种圆形分组布局的压接式功率器件封装

说明书

技术领域

本发明涉及电力半导体器件技术领域，具体涉及一种圆形分组布局的压接式功率器件封装。

背景技术

压接式功率器件，如压接式IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，被广泛用于工业、信息、新能源、交通等领域，因为其具有双面散热能力，高功率密度和可靠性，易于串联，且具有失效短路模式，也被广泛应用于智能电网等高压大功率电力系统领域。

温度对功率器件性能的影响至关重要，高温不仅会影响器件的电学特性，更会严重影响其疲劳寿命。在功率器件运行过程中温度会影响芯片内部的热应力，这可能导致芯片的热损坏，已有多项研究证明电子器件的疲劳寿命随温度的升高呈指数下降，在功率器件设计过程中必须考虑热设计，以方便热量迅速散出去，降低芯片的温度。

高功率密度一直是功率器件追求的目标，器件最高工作结温和内部各芯片电流分布的均匀性是限制其功率密度提高的最主要的因素，通过优化设计功率器件的封装可以在很大程度上优化器件内部电流分布的均匀性和降低器件的热阻，进而降低器件内部的最高工作温度，最终可以提高器件的功率密度和可靠性。

当前压接式IGBT主要是由ABB公司和WESTCODE公司生产的产品，具体为：

ABB公司的压接式IGBT的结构中芯片下侧面(集电极侧)与基板烧结在一起，另一侧为压接结构，并最终通过叠簧结构与上端盖接触，但也正因为叠簧的存在，使得芯片上侧面(发射极侧)的导热能力很差，热量基本上只能通过下侧面导出，虽然下侧面的导热路径比较短，但散热能力也不如双面散热，功率密度会受到限制。

WESTCODE公司的压接式IGBT的结构中芯片上下侧两面均为压接结构，直至上下端盖，这种结构的优点是芯片可以实现双面散热，芯片上下两面有近乎相等的热量导出。但是从其截面图可以看出，器件内部各个零部件之间的接触面较多，因为不同界面存在一定的粗糙度，界面间的空隙由空气填充，空气的导热率极低，这样界面间会形成很大的接触热阻，并且其接触热阻在整体热阻中占20％-50％比重，所以该种结构整体热阻与ABB的热阻相差不大。

ABB公司和WESTCODE公司的压接式IGBT器件内部各芯片都是方形分布，芯片位置的差异会导致驱动信号路径的差异，进而导致驱动信号的不一致，最终导致器件内部各芯片电流分布的不均匀，影响器件内部温度分布，限制功率密度的提高。

综上所述，提高器件功率密度最主要的方法为提高芯片电流分布均匀性和降低器件热阻，而器件内部各功率芯片的布局对芯片电流分布的均匀性具有重要影响，降低接触热阻和减小导热路径对降低整体热阻至关重要。因此，如何提供一种具有低热阻，电流分布性好，且整体结构简单紧凑的压接式功率器件封装，以满足智能电网对高功率器件封装的应用需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种圆形分组布局的压接式功率器件封装，所述器件内部功率芯片采用分组布局，且组内芯片以圆形对称分布，使各芯片到圆心的距离一致，以保证驱动信号的一致性，使器件内部电流分布性好，最终提高了模块的功率密度和可靠性，通过设计紧凑的内部结构，减小了器件的导热路径，降低了器件热阻和功率器件封装的整体热阻。

为了实现上述目的，本发明采取以下技术方案：

一种圆形分组布局的压接式功率器件封装，所述功率器件封装包括上下两面分别设置上下钼片的功率器件芯片的框架，以及叠层布置的多层PCB板、驱动电路、键合线和上端盖；所述功率器件芯片分组设置于所述框架顶部，且所述各组功率器件芯片以圆形对称分布，所述驱动电路位于所述圆形的中间位置。

所述的功率器件封装的第一优选技术方案，所述功率器件芯片与下钼片烧结，或者其两面分别与上下钼片烧结，极大地降低了接触热阻。

所述的功率器件封装的第二优选技术方案，所述下钼片为一整块大钼片，作为功率器件封装的下端盖以及功率器件的电极和散热面，所述上端盖作为功率器件的散热器和电极。

所述的功率器件封装的第三优选技术方案，所述圆形对称分布是指所述组内功率器件芯片对称分布于同一个圆周上，以保证各功率器件芯片到圆心的距离相等。

所述的功率器件封装的第四优选技术方案，所述多层PCB板内部至少包含两层导电路径，一层为功率器件芯片栅极驱动信号路径，一层为功率器件芯片阴极信号路径；所述PCB板与功率器件芯片以键合线相连。多层PCB板目的是将IGBT芯片的驱动信号回路与功率回路分开，避免功率回路对驱动信号回路的影响。