[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510848950.4 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106816370B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 严琴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 汪洋;李侬<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有第一多晶硅层；
步骤S2：在所述第一多晶硅层上沉积形成金属硅化物，其中，采用化学气相沉积法沉积所述金属硅化物，且使其沉积温度大于440℃；
步骤S3：在所述金属硅化物上沉积形成掺杂的第二多晶硅层，所述掺杂的第二多晶硅层包括自下而上的未掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅，通过延长所述未掺杂的多晶硅的沉积时间来降低所述第二多晶硅层的应力。
2.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有第一多晶硅层；
步骤S2：在所述第一多晶硅层上沉积形成金属硅化物，其中，采用化学气相沉积法沉积所述金属硅化物，且使其沉积温度在400℃以上；
步骤S3：在所述金属硅化物上沉积形成掺杂的第二多晶硅层，其中，采用化学气相沉积法沉积形成掺杂的所述第二多晶硅层，沉积所述第二多晶硅层包括：首先沉积4～6分钟的未掺杂的多晶硅，再沉积4～6分钟的掺杂的多晶硅，通过延长所述未掺杂的多晶硅的沉积时间来降低所述第二多晶硅层的应力。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物包括硅化钨。
4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，沉积所述第二多晶硅层包括：首先沉积5分钟的未掺杂的多晶硅，再沉积5分钟的掺杂的多晶硅。
5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物的沉积温度为400℃-440℃。
6.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底的表面上所述第一多晶硅层的下方形成有栅极介电层。
7.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，在所述步骤S3之后，还包括在所述第二多晶硅层上沉积形成隔离材料层，以及在所述隔离材料层上沉积形成控制栅极材料层的步骤。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述隔离材料层为氧化物-氮化物-氧化物的结构绝缘隔离层，所述控制栅极材料层为未掺杂的多晶硅。
9.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述第一多晶硅层为掺杂的多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
