[发明专利]半导体嵌入式混合封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体嵌入式混合封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

线路板，其具有相对设置的第一表面和第二表面；

设于所述线路板内的、至少用以容置半导体芯片和半导体芯片封装体的开口或空腔；

设置于所述至少用以容置半导体芯片和半导体芯片封装体的开口或空腔内的半导体芯片；

设置于所述至少用以容置半导体芯片和半导体芯片封装体的开口或空腔内的半导体芯片封装体，所述半导体芯片封装体内有至少一颗半导体裸晶片且是带有塑封材料封装的半导体芯片封装体，而且所述半导体芯片封装体还包含：与半导体芯片封装体内半导体裸晶片的电极/焊盘电气连接的、并从所述半导体裸晶片向外延伸的导电引线或布线，以及，与半导体裸晶片电气连接的外部电极；所述外部电极是裸露在空气中的或者被薄膜覆盖的；

封装材料，其至少用以覆盖线路板的第一表面及填充所述至少用以容置半导体芯片和半导体芯片封装体的开口或空腔内未被半导体芯片及半导体芯片封装体占据的空间；

第一积聚层，其至少覆盖所述线路板的第二表面、所述的封装材料、所述半导体芯片和所述半导体芯片封装体，所述第一积聚层为介电材料层，所述第一积聚层在位于半导体芯片的电极/焊盘、半导体芯片封装体外部电极和线路板的线路层上方设有盲孔；

重布线层，至少用于电气连接半导体芯片，半导体芯片封装体和线路板，所述重布线层包括第一重布线层、第二重布线层；以及

至少覆盖最外侧线路层的焊料掩膜和设置于所述焊料掩膜中的开口，设置于所述焊料掩膜中的开口内的线路层形成连接外部元件的焊盘；

其中，所述第一积聚层上设有第一重布线层，且所述第一积聚层上的第一重布线层经过所述盲孔与半导体芯片的电极/焊盘、半导体芯片封装体外部电极和/或线路板上的线路层电气互连，所述线路板第一表面上的封装材料上还设有第二重布线层，所述第二重布线层经导电盲孔至少和线路板上的线路层、半导体芯片、和/或半导体芯片封装体的外部电极电气互连，所述第一重布线层和/或第二重布线层上覆盖有第二积聚层，所述第二积聚层上形成有与第一重布线层和/或第二重布线层电气互连的第三重布线层。

2.根据权利要求1所述的半导体嵌入式混合封装结构，其特征在于：所述线路板的第一表面设置有模块对位标识，所述模块对位标识的表面与线路板的第二表面分别对应所述线路板的最高表面与最低表面。

3.根据权利要求1所述的半导体嵌入式混合封装结构，其特征在于：所述至少用以容置半导体芯片和半导体芯片封装体的开口或空腔内还设有被动电子元件，所述被动电子元件包括电容、电阻、电感元件中的任一种或多种的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体嵌入式混合封装结构，其特征在于：所述外部电极的材料是铜金属层或是有镍/金层覆盖的铜金属层；所述薄膜的材料为积聚层介电材料，所述积聚层介电材料包括塑封材料、增层材料或聚酰亚胺。

5.根据权利要求3所述的半导体嵌入式混合封装结构，其特征在于：所述封装材料还用于填充所述至少用以容置半导体芯片和半导体芯片封装体的开口或空腔内未被被动电子元件占据的空间。

6.根据权利要求1或3所述的半导体嵌入式混合封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括所述第一积聚层包括ABF增层或光敏感介电层。

7.根据权利要求1所述的半导体嵌入式混合封装结构，其特征在于：所述第二积聚层包括ABF增层或光敏感介电层。

8.根据权利要求1所述的半导体嵌入式混合封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括贴装焊料掩膜上方的半导体封装器件和/或被动电子元件，所述被动电子元件包括电容、电阻、电感元件中的任一种或多种的组合，所述半导体封装器件和/或被动电子元件通过所述焊盘和第三重布线层电气互连。