[发明专利]EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法

说明书

本发明实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料。本发明实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。

优先权数据

本申请要求于2014年11月26日提交的标题为“EUV Mask and ManufacturingMethod by Using the Same”的临时专利申请第62/084,608号的优先权，其全部内容通过引用结合于此作为参考。

技术领域

本发明实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了指数式发展。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代的IC，其中每代IC都具有比上一代IC更小和更复杂的电路。在IC发展过程中，部件密度(即，每一芯块面积上互连器件的数量)通常已经增加而几何尺寸(即，使用制造工艺可以制造的最小的组件(或线))却已减小。通常这种按比例缩小工艺通过提高生产效率和降低相关成本而带来益处。这种按比例缩小已经增加了处理和制造IC的复杂度。为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，对实施更高分辨率光刻工艺的需要增长了。一种光刻技术是极紫外光刻(EUVL)。其他技术包括X-射线光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻和多个电子束无掩模光刻。

EUVL采用使用极紫外(EUV)区中的光的扫描仪，极紫外(EUV)区中的波长为约1-100nm。一些EUV扫描仪提供4X缩小投影印刷，类似于一些光学扫描仪，除了EUV扫描仪使用反射而不是折射光学器件，即，反射镜代替透镜。EUV扫描仪在形成于反射掩模上的吸收层(“EUV”掩模吸收件)上提供期望的图案。目前，在用于制造集成电路的EUVL中采用二元强度掩模(BIM)。除了EUVL采用EUV区中的光(即，在13.5nm处)之外，EUVL非常类似于光学光刻，类似之处在于其需要掩模以印刷晶圆。在13.5nm左右的波长处，所有材料都高度吸收。因此，使用反射光学器件而不是折射光学器件。多层(ML)结构作为EUV空白掩模。

然而，常规的EVU掩模及其制造仍具有缺陷。例如，EVU掩模具有吸收层。传统的EUV掩模吸收层可以导致较大的投影移位(aerial image shifts)，这是不期望的。作为另一个实例，EUV掩模通常需要薄膜，其可以用作保护罩以保护EUV掩模免受损坏和/或污染粒子的影响。然而，根据特定的传统制造工艺的薄膜的制造可能导致薄膜变得扭曲、损坏或以其他方式受到破坏，从而使得薄膜不可用。

因此，虽然EUV光刻系统和工艺通常已经满足它们的预期目的，但是它们没有在所有方面都尽如人意。需要一种EUV光刻方法系统以解决上述问题。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种光刻掩模，包括：衬底，含有低热膨胀材料(LTEM)；反射结构，设置在所述衬底上方；覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层含有具有在从约0.95至约1.01的范围内的折射率和大于约0.03的消光系数的材料。

根据本发明的另一些实施例，提供了一种晶圆制造工艺，包括：在衬底上方形成材料层；在所述材料层上方形成光刻胶层；以及在光刻工艺中使用极紫外(UV)掩模图案化所述光刻胶层，其中，所述UV掩模包括：衬底，含有低热膨胀材料(LTEM)；反射结构，设置在所述衬底上方；覆盖层，设置在所述反射结构上方；和吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，所述吸收层含有具有在从约0.95至约1.01的范围内的折射率和大于约0.03的消光系数的材料。