[发明专利]EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法

权利要求书

1.一种光刻掩模，包括：

衬底，含有低热膨胀材料；

反射结构，设置在所述衬底上方；

覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及

吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，在极紫外光的波长范围下，所述吸收层含有具有在从0.95至1.01的范围内的折射率和在从0.4至0.54的范围内的消光系数的材料。

2.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述吸收层的材料的折射率在从0.975至1的范围内。

3.根据权利要求2所述的光刻掩模，其中，所述吸收层的材料的折射率在从0.985至0.995的范围内。

4.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述吸收层的材料包括镭、Al、Te、Cu或Ge之一。

5.根据权利要求1所述的光刻掩模，还包括：缓冲层，设置在所述覆盖层和所述吸收层之间，其中，所述缓冲层和所述吸收层具有不同的蚀刻特性。

6.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中，所述反射结构配置为提供对预定辐射波长的高反射率，其中，所述预定辐射波长包括在极紫外光范围内的波长。

7.根据权利要求1所述的光刻掩模，其中：

所述低热膨胀材料包括TiO₂掺杂的SiO₂；

所述反射结构包括多个Mo/Si膜对或多个Mo/Be膜对；以及

所述覆盖层含有硅。

8.一种晶圆制造工艺，包括：

在衬底上方形成材料层；

在所述材料层上方形成光刻胶层；以及

在光刻工艺中使用极紫外掩模图案化所述光刻胶层，其中，所述极紫外掩模包括：

衬底，含有低热膨胀材料；

反射结构，设置在所述衬底上方；

覆盖层，设置在所述反射结构上方；和

吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，在极紫外光的波长范围下，所述吸收层含有具有在从0.95至1.01的范围内的折射率和在从0.4至0.54的范围内的消光系数的材料。

9.根据权利要求8所述的晶圆制造工艺，还包括：通过照明器将极紫外辐射导向至所述极紫外掩模，其中，所述照明器含有偶极照明组件。

10.根据权利要求8所述的晶圆制造工艺，其中，所述光刻胶层的图案化包括：将所述光刻胶层曝光于极紫外辐射和之后显影所述曝光的光刻胶层以形成图案化的光刻胶部件。

11.根据权利要求8所述的晶圆制造工艺，其中：

低热膨胀材料衬底包含有TiO₂掺杂的SiO₂；

所述反射结构包括多个Mo/Si膜对或多个Mo/Be膜对；以及

所述覆盖层含有硅。

12.根据权利要求8所述的晶圆制造工艺，还包括：

形成设置在所述覆盖层和所述吸收层之间的缓冲层，其中，所述缓冲层和所述吸收层具有不同的蚀刻特性。

13.根据权利要求8所述的晶圆制造工艺，其中，所述吸收层的材料的折射率在从0.975至1的范围内。

14.根据权利要求13所述的晶圆制造工艺，其中，所述吸收层的材料的折射率在从0.985至0.995的范围内。

15.根据权利要求8所述的晶圆制造工艺，其中，所述吸收层的材料包括镭、Al、Te、Cu或Ge之一。