[发明专利]硅通孔及三维集成电路中硅通孔组的测试电路及方法在审

专利信息
申请号: 201510817569.1 申请日: 2015-11-23
公开(公告)号: CN105470240A 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 崔小乐;井兵强;金玉丰 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 郭燕;彭家恩
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 硅通孔 三维集成电路 中硅通孔组 测试 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种硅通孔的测试电路,其特征在于,包括:

激励源,其与所述硅通孔的输入端相连接,用于为所述硅通孔提供激励脉 冲信号;

并联的两条电路支路,其与所述硅通孔的输出端相连接,其中一电路支路 包括反相器件,另一电路支路包括电平触发器件和开关器件,所述开关器件用 于控制所述电平触发器件所处的所述另一电路支路的通断;

第三电路支路,其与所述并联的两条电路支路的输出端相连接,用于根据 所述另一电路支路当前处于的导通或断开状态,予以相应的输出;

检测电路支路,其与所述第三电路支路的输出端相连接,用于根据所述第 三电路支路的输出的信号表现,确定所述硅通孔是否存在开路缺陷或短路缺陷。

2.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述另一电路支路当前处 于导通状态时,所述第三电路支路的输出端的脉冲宽度为所述硅通孔的输出端 的信号延迟与所述两条电路支路的输出的延迟差的总和,所述检测电路支路判 断所述第三电路支路的输出端的脉冲宽度是否在合理范围内,如果在合理范围 内,则所述硅通孔不存在开路缺陷,如果超出合理范围,则所述硅通孔存在开 路缺陷;

所述另一电路支路当前处于断开状态时,所述硅通孔的输出端仅通过所述 反相器件输出至所述第三电路支路的输入端,所述检测电路支路判断所述第三 电路支路的输出端与所述硅通孔的输入端的电平是否相反,如果不相反,则所 述硅通孔存在短路缺陷,如果相反,则所述硅通孔不存在短路缺陷。

3.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于所述检测电路支路包括:

由第一与非门和第二与非门构成的第一JK触发器,其中所述第一与非门的 输出为所述第二与非门的一个输入,所述第二与非门的另一个输入为所述第三 电路支路的输出,所述第二与非门的输出为所述第一与非门的一个输入,所述 第一与非门的另一个输入为经过非门的复位信号;

由第一或非门和第二或非门构成的第二JK触发器,其中所述第一或非门的 输出为所述第二或非门的一个输入,所述第二或非门的另一个输入为所述复位 信号,所述第二或非门的输出为所述第一或非门的一个输入,所述第一或非门 的另一个输入为所述第三电路支路的输出;

或非门,所述或非门的一个输入为所述第一JK触发器的输出,另一个输入 为所述第二JK触发器的输出,所述或非门输出检测结果。

4.如权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述第三电路支路包括与 门电路;所述反相器件包括高阈值反相器;所述电平触发器件采用施密特触发 器实现,所述开关器件包括P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

5.一种硅通孔的测试方法,其特征在于,包括:

向所述硅通孔的输入端输入激励脉冲信号;

提供并联的两条电路支路连接到所述硅通孔的输出端,其中一电路支路包 括反相器件,另一电路支路包括电平触发器件和开关器件,所述开关器件控制 所述电平触发器件所处的所述另一电路支路的通断;

提供第三电路支路连接到所述并联的两条电路支路的输出端,所述第三电 路支路根据所述另一电路支路当前处于的导通或断开状态,予以相应的输出;

提供检测电路支路连接到所述第三电路支路的输出端,所述检测电路支路 根据所述第三电路支路的输出的信号表现,确定所述硅通孔是否存在开路缺陷 或短路缺陷。

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