[发明专利]一种可控制备单分散介孔二硫化钼纳米球的方法

权利要求书

1.一种可控制备单分散介孔二硫化钼纳米球的方法，包括以下步骤：

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

a）将表面活性剂、有机溶剂和Mo盐水溶液混合，形成微乳液A；

b）将微乳液a倒入玻璃瓶中搅拌加热回流，温度控制在80～130℃；

c）将SiO₂溶胶滴加入上述微乳液中，形成混合液B，其中，SiO₂量占质量分数为5%～10%；

d）将上述混合物倒入不锈钢反应釜中，放入烘箱反应，反应温度180^oC～260^oC

f)将反应釜中固体取出，使用含氟溶液洗涤多次，可得目标产物；

其中，以混合液B重量份数计，混合液B包括：

步骤a)加入5～65份的有机溶剂；

步骤a)加入0.5～10份的表面活性剂；

步骤a)加入10～50份的Mo盐水溶液；

步骤c)加入5～10份的SiO₂溶胶；

步骤f)加入10～40份的含氟溶液洗涤多次。

2.根据权利要求1所述的生产单分散介孔二硫化钼纳米球的方法，其特征在于有机溶剂的选择为环己烷、苯、甲苯、二甲苯中的至少一种；表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）、十六烷基三甲基氯化铵（CTAC）、多库脂钠（AOT）、聚氧乙烯醚的至少一种；Mo盐化合物为硫代钼酸铵或硫氧钼酸铵中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的生产单分散介孔二硫化钼纳米球的方法，其特征在于，混合液液体加热温度为80～130℃；磁力搅拌转速为500~30000转/分。

4.根据权利要求1所述的生产单分散介孔二硫化钼纳米球的方法，其特征在于硫代钼酸铵或硫氧钼酸铵的质量分数为5%～10%。

5.根据权利要求1所述的生产单分散介孔二硫化钼纳米球的方法，其特征在于反应釜的反应温度为180^oC～260^oC。

6.根据权利要求1所述的生产单分散介孔二硫化钼纳米球的方法，F^-溶液为HF或NH₄F中的至少一种，其中溶液浓度为60%（质量分数）。

7.根据权利要求1所述的生产单分散介孔二硫化钼纳米球的方法，合成的MoS2纳米球粒径大小为20～300纳米，其表面介孔大小为20～40nm。