[发明专利]一种超临界水氧化工艺控制方法和控制系统在审
| 申请号: | 201510808162.2 | 申请日: | 2015-11-19 |
| 公开(公告)号: | CN105344292A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
| 发明(设计)人: | 朱邦阳;程乐明;宋成才;高志远;王青;杜娟;史金涛 | 申请(专利权)人: | 新奥科技发展有限公司 |
| 主分类号: | B01J4/02 | 分类号: | B01J4/02;B01J19/00 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 065001 河北省廊坊市经济*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 临界 氧化 工艺 控制 方法 控制系统 | ||
技术领域
本发明涉及超临界水氧化技术领域,尤其涉及一种超临界水氧化工艺控制方法和控制系统。
背景技术
超临界水氧化技术是指利用超临界水(即温度超过374.1℃且绝对压力超过22.1MPa的水)为介质的含碳物料氧化过程。由于超临界水与含碳物料和气体均能互溶,且超临界水具有比热容大、传热系数高、扩散系数大、反应速率快等特点,从而使得含碳物料与氧气进行的氧化反应具有反应速率快、氧化彻底,氨氮脱除率高,及无任何污染物产生的优点,从而使得应用超临界水氧化技术处理含碳物料受到越来越广泛的关注。
其中,对含碳物料进行超临界水氧化的过程需要在工艺系统内进行,工艺系统条件在很大程度上决定了对含碳物料的处理效果,因此,对工艺系统条件进行实时监测和调节具有十分重要的意义。现有技术中,主要通过监测反应器内多点温度或者反应器进出口温度、压力的方法来调节工艺系统条件。然而本申请的发明人发现,进出口温度、压力无法准确地反映工艺系统条件,进而使得上述监测和调节过程无法达到准确地监测工艺系统条件,并对工艺系统条件作出调节的目的,进而影响含碳物料的处理效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种超临界水氧化工艺控制方法和控制系统,用于及时准确地对工艺系统条件进行调节,提高含碳物料的处理效果。
为达到上述目的,本发明提供一种超临界水氧化工艺控制方法,采用如下技术方案:
步骤一、超临界水氧化工艺控制方法包括:
步骤二、监测超临界水氧化产物的参数,所述参数包括超临界水氧化产物中各气体组分的含量和液体的化学需氧量;
步骤三、将所述参数与其标准参数范围进行对比;根据对比结果调节工艺系统条件;
重复以上步骤对所述工艺系统条件进行调整,直至所有所述参数均在其标准参数范围内,工艺系统稳定。
本发明提供的超临界水氧化工艺控制方法包括如上所述的步骤,由于对工艺系统条件进行调节,以对超临界水氧化工艺进行控制的主要目的在于提高含碳物料的处理效果,因此,超临界水氧化产物的参数能最及时准确的反映工艺系统条件是否合理,因此,将监测所得的超临界水氧化产物的参数与其标准参数范围进行对比后,根据所得的对比结果能够及时准确地调节工艺系统条件,且重复以上步骤对工艺系统条件进行调整后,能够使所有参数均在其标准参数范围内,工艺系统稳定,进而有效提高含碳物料的处理效果。
此外,本发明还提供一种超临界水氧化工艺控制系统,所述超临界水氧化工艺控制系统应用于以上所述的超临界水氧化工艺控制方法中,采用如下技术方案:
超临界水氧化工艺控制系统包括:
参数监测单元,所述参数监测单元用于监测超临界水氧化产物的参数,所述参数包括超临界水氧化产物中各气体组分的含量和液体的化学需氧量;
对比单元,所述对比单元与所述参数监测单元连接,用于将所述参数与标准参数范围进行对比;
工艺系统条件调节单元,所述工艺系统条件调节单元与所述对比单元连接,用于根据对比结果调节工艺系统条件。
本发明提供的超临界水氧化工艺控制系统包括如上各单元,由于对工艺系统条件进行调节,以对超临界水氧化工艺进行控制的主要目的在于提高含碳物料的处理效果,因此,超临界水氧化产物的参数能最及时准确的反映工艺系统条件是否合理,因此,经过对比单元将参数监测单元监测所得的超临界水氧化产物的参数与其标准参数范围进行对比后,工艺系统条件调节单元能够及时准确地根据所得的对比结果调节工艺系统条件,且上述几个单元重复以上步骤对工艺系统条件进行调整后,能够使所有参数均在其标准参数范围内,工艺系统稳定,进而有效提高含碳物料的处理效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中的超临界水氧化工艺控制方法的流程图;
图2为本发明实施例中的超临界水氧化工艺控制系统的示意图一;
图3为本发明实施例中的参数监测单元的示意图;
图4为本发明实施例中的工艺系统条件调节单元的示意图;
图5为本发明实施例中的超临界水氧化工艺控制系统的示意图二;
图6为本发明实施例中的超临界水氧化工艺控制系统的示意图三。
附图标记说明:
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