[发明专利]磁控直流溅射系统内的冷却装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体加工设备，尤其是一种磁控直流溅射系统内的冷却装置。

背景技术

磁控直流溅射系统中，用于生产半导体的物料完成溅射加工后，均需对其进行冷却处理。现有的冷却工艺均通过氮气对物料进行直接冷却，然而，由于物料在溅射过程中存在一定的升温现象，对其进行急剧冷却极易使得物料内部产生残留应力，致使后期物料在使用时极易发生损坏。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种磁控直流溅射系统内的冷却装置，其可避免物料在冷却过程中产生内部残留应力过大的现象。

为解决上述技术问题，本发明涉及一种磁控直流溅射系统内的冷却装置，其包括有冷却腔室，以及延伸至冷却腔室内的传输轨道；所述冷却腔室内部设置有多个喷气管道，其连通至设置在冷却腔室外部的氮气容器内；所述冷却腔室包括有进料口与出料口，冷却腔室之中，进料口的对应位置设置有辅助冷却室，辅助冷却室内部设置有夹层，夹层内部设置有冷却管道，冷却管道连通至设置在冷却腔体外部的冷却水槽。

作为本发明的一种改进，所述辅助冷却室采用环形结构，其环绕传输轨道进行分布，辅助冷却室与传输轨道上端面之间的距离至多为10厘米。采用上述设计，其可通过环形的辅助冷却室以对传输管道中的物料进行各个方向的均匀降温，辅助冷却室与传输轨道上端面之间的距离则可确保其降温效果。

作为本发明的一种改进，所述辅助冷却室内部设置有多个辅助喷气管道，其连通至设置在冷却腔体外部的空气压缩机。采用上述设计，其可通过多个辅助喷气管道输出的常温气流对物料进行风冷处理，并通过输出气流的温度使得物料得以逐渐冷却。

作为本发明的一种改进，所述辅助冷却室内设置有至少4个辅助喷气管道，其对称分布于传输轨道的两侧，每一个辅助喷气管道均朝向传输轨道的上端面进行延伸。采用上述设计，其可通过辅助喷气管道的结构设置，使得每一个位置的物料可得以两侧均匀的风冷处理，以避免物料在流动空气作用下发生掉落。

采用上述技术方案的磁控直流溅射系统内的冷却装置，其可通过辅助冷却室以及其内部的冷却水对于物料进行初步冷却，以使得物料在受氮气作用前得以预先降温处理，从而避免物料在氮气作用下急剧降温而导致其内部残留应力过多，致使物料性能受到影响。

附图说明

图1为本发明示意图；

图2为本发明中辅助冷却室俯视图；

附图标记列表：

1—冷却腔室、2—传输轨道、3—喷气管道、4—氮气容器、5—进料口、6—出料口、7—辅助冷却室、8—夹层、9—冷却管道、10—冷却水槽、11—辅助喷气管道、12—空气压缩机。

具体实施方式

下面结合具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。

实施例1

如图1所示的一种磁控直流溅射系统内的冷却装置，其包括有冷却腔室1，以及延伸至冷却腔室1内的传输轨道2；所述冷却腔室1内部设置有多个喷气管道3，其连通至设置在冷却腔室1外部的氮气容器4内；所述冷却腔室1包括有进料口5与出料口6，冷却腔室1之中，进料口5的对应位置设置有辅助冷却室7，辅助冷却室7内部设置有夹层8，夹层8内部设置有冷却管道9，冷却管道9连通至设置在冷却腔体1外部的冷却水槽10。

作为本发明的一种改进，所述辅助冷却室7采用环形结构，其环绕传输轨道2进行分布，辅助冷却室7与传输轨道2上端面之间的距离为5厘米。采用上述设计，其可通过环形的辅助冷却室以对传输管道中的物料进行各个方向的均匀降温，辅助冷却室与传输轨道上端面之间的距离则可确保其降温效果。

采用上述技术方案的磁控直流溅射系统内的冷却装置，其可通过辅助冷却室以及其内部的冷却水对于物料进行初步冷却，以使得物料在受氮气作用前得以预先降温处理，从而避免物料在氮气作用下急剧降温而导致其内部残留应力过多，致使物料性能受到影响。

实施例2

作为本发明的一种改进，如图2所示，所述辅助冷却室7内部设置有多个辅助喷气管道11，其连通至设置在冷却腔体1外部的空气压缩机12。采用上述设计，其可通过多个辅助喷气管道输出的常温气流对物料进行风冷处理，并通过输出气流的温度使得物料得以逐渐冷却。

作为本发明的一种改进，所述辅助冷却室7内设置有4个辅助喷气管道11，其对称分布于传输轨道2的两侧，每一个辅助喷气管道11均朝向传输轨道2的上端面进行延伸。采用上述设计，其可通过辅助喷气管道的结构设置，使得每一个位置的物料可得以两侧均匀的风冷处理，以避免物料在流动空气作用下发生掉落。

本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。