[发明专利]直接转移石墨烯薄膜的装置和方法在审

专利信息
申请号: 201510794119.5 申请日: 2015-11-18
公开(公告)号: CN105217623A 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 于乐泳;聂长斌;冯双龙;魏兴战;史浩飞;周大华;申钧 申请(专利权)人: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 直接 转移 石墨 薄膜 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于石墨烯制备领域,具体涉及一种直接转移石墨烯薄膜的装置和方法。

背景技术

石墨烯,一个杂化的SP2六角型薄膜,它是目前发现最薄的二维材料。石墨烯具有很多优异的特性,它具有很好的柔韧性和透光性,石墨烯中的载流子迁移率远高于传统的硅材料,室温下本征载流子迁移率高达2.0X105cm2/(V.S)。另外,它具有高的热导率(约5000W/m.k)、极高的杨氏模量(1.06TPa)和巨大的比表面积2630m2/g。这些性质使石墨烯受到人们广泛的关注,它在高性能复合材料、柔性显示、光通信、光电探测和传感器件等诸多领域都具有广阔的应用前景。

目前,大面积的石墨烯制备主要利用催化金属(Cu、Au等)来催化碳源的高温裂解,进而在金属基底上直接贴附石墨烯膜。但是生长在金属表面的石墨烯无法直接用于器件制作以及后续研究,所以必须将石墨烯完整、无污染的从金属基底转移到目标基底(例如SiO2/Si)上。常用的湿法转移方法主要为中介物(PMMA、PDMS等)过渡转移法。这种方法在反复清洗的过程由于“提拉”的基底与水面具有一定的倾斜角度,这样不可避免的会对石墨烯表面具有一定的拉伸作用,导致石墨烯破损。另外,利用丙酮等溶液去除中介物的操作并不能将其完全去除,会造成石墨稀表面污染。以上这些不足很大程度上限制了石墨烯的应用和市场化进程。因此,需找一种无损、无污染的石墨稀薄膜转移方法十分重要。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种直接转移石墨烯薄膜的装置和方法。

为达到上述目的,本发明提供如下技术方案:

1、一种用于直接转移石墨烯薄膜的装置,所述装置包括溶液引入口1,圆形筛孔漏斗2,溶液排出口3,所述溶液引入口1安装在筛孔以下的锥形壁上,所述溶液排出口3直接与漏斗出口相接,所述溶液排出口3上设置有开关。

进一步,所述溶液引入口(1)设置有开关。

2、采用所述装置直接转移石墨烯薄膜的方法,具体步骤如下:

1)去除背面石墨烯:利用氧离子清洗机去除铜箔背面石墨烯;

2)铜基底的腐蚀:关闭溶液排出口3上的开关,将Fe(NO3)3倒入圆形筛孔漏斗2内,将步骤1)处理完成的放在溶液表面至铜箔完全腐蚀,得到漂浮在水平面的透明石墨烯薄膜;

3)排除腐蚀液:同时打开引入口1和排出口3,由引入口1向圆形筛孔漏斗(2)中通入去离子水,调整引入口与排出口流速,至Fe(NO3)3被完全排出;

4)清洗石墨烯薄膜:关闭排出口3,由引入后1分别通入稀盐酸、去离子水,对漂浮在水面上的石墨烯薄膜进行清洗;

5)将石墨烯薄膜转移至目标基底:将目标基底平稳放入装置中,调整出水速度,使石墨烯薄膜竖直、平稳的降落到目标基底上;

6)石墨烯清洗保存:将石墨烯薄膜置于空气中使表面的水自然晾干或烘干方式。

进一步,所述Fe(NO3)3浓度为0.2~1mol/L。

进一步,所述步骤3)中调整引入口与排出口流速相同。

进一步,所述步骤6)中烘干方式如下,烘干温度为80-120度,时间为10~20分钟。

进一步,所述步骤5)中目标基底为SiO2或Si基底。

本发明的有益效果在于:本发明利用所述装置通过调整进出水,在液面平稳的状态下完成了对石墨烯的整个转移过程。具体效果如下:(1)在液面上升或下降的过程,由于圆孔筛的存在使水流的作用力分散在液面低端,很大程度上减小了对液面上石墨烯的作用,更好的保证了石墨烯的完整性;(2)Fe(NO3)3的密度较大,利用下部漏斗可以对腐蚀液排放的彻底,减少了杂质的残留;(3)由于水流从四周圆孔筛均匀流下,可以起到对石墨烯均匀拉伸作用,防止其褶皱;(4)整个过程石墨烯均保持“水平”状态,无其他人为因素影响,所受到的力极小,大大减少了其破损程度;(5)无任何中介物及杂质残留。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案和有益效果更加清楚,本发明提供如下附图进行说明:

图1表示用于直接转移石墨烯薄膜的装置;

图2表示利用装置直接转移石墨烯薄膜的示意图;

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