[发明专利]直接转移石墨烯薄膜的装置和方法

权利要求书

1.一种用于直接转移石墨烯薄膜的装置，其特征在于，所述装置包括溶液引入口(1)，圆形筛孔漏斗(2)，溶液排出口(3)，所述溶液引入口1安装在筛孔以下的锥形壁上，所述溶液排出口(3)直接与漏斗出口相接，所述溶液排出口(3)上设置有开关。

2.根据权利要求1所述用于直接转移石墨烯薄膜的装置，其特征在于，所述溶液引入口(1)设置有开关。

3.采用权利要求1或2所述装置直接转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)去除背面石墨烯：利用氧离子清洗机去除铜箔背面石墨烯；

2)铜基底的腐蚀：关闭溶液排出口(3)上的开关，将Fe(NO₃)₃倒入圆形筛孔漏斗(2)内，将步骤1)处理完成的放在溶液表面至铜箔完全腐蚀，得到漂浮在水平面的透明石墨烯薄膜；

3)排除腐蚀液：同时打开引入口(1)和排出口(3)，由引入口(1)向圆形筛孔漏斗(2)中通入去离子水，调整引入口与排出口流速，至Fe(NO₃)₃被完全排出；

4)清洗石墨烯薄膜：关闭排出口(3)，由引入后(1)分别通入稀盐酸、去离子水，对漂浮在水面上的石墨烯薄膜进行清洗；

5)将石墨烯薄膜转移至目标基底：将目标基底平稳放入装置中，调整出水速度，使石墨烯薄膜竖直、平稳的降落到目标基底上；

6)石墨烯清洗保存：将石墨烯薄膜置于空气中使表面的水自然晾干或烘干方式。

4.根据权利要求3所述直接转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述Fe(NO₃)₃浓度为0.2～1mol/L。

5.根据权利要求3所述直接转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述步骤3)中调整引入口与排出口流速相同。

6.根据权利要求3所述直接转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述步骤6)中烘干方式如下，烘干温度为80-120度，时间为10～20分钟。

7.根据权利要求3所述直接转移石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述步骤5)中目标基底为SiO₂或Si基底。