[发明专利]复合式无源装置及复合式制造方法有效

专利信息
申请号: 201510784376.0 申请日: 2015-11-16
公开(公告)号: CN105720044B 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 李道一;曾柏森;蔡明达 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李庆波
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 复合 无源 装置 制造 方法
【说明书】:

发明提供了一种复合式无源装置,用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件。该复合式无源装置包括第一无源元件和第二无源元件。第一无源元件利用该至少一种技术的第一技术和/或该至少一种技术的第二技术,第二技术不同于第一技术,以及,技术边界设置在第二技术的电介质和第一技术的电介质之间。该至少一个无源元件的该第二无源元件不同于该第一无源元件。第二无源元件利用第一技术和/或第二技术,以及,第一无源元件和第二无源元件通过该技术边界彼此电磁耦合。相应地,本发明还提供了一种复合式制造方法。采用本发明,可以协同作用利用不同技术的无源元件。

技术领域

本发明涉及复合式无源装置(hybrid passive device),更特别地,涉及一种对利用(reside in)至少一种技术的至少一个无源元件(passive component)进行协同作用(synergizing)的复合式无源装置。

背景技术

平衡-不平衡装置(也称作巴伦装置(Balun device))被广泛用于将不平衡的输入信号变换(transform)为平衡的输出信号对,或者,反之,将平衡的输入信号对变换为不平衡的输出信号。通常,仅需要在单一(single)的工艺(如层压基板(laminated substrate))中制造巴伦装置,或者,通过单一技术(如集成无源器件(integrated-passive-device,IPD)技术)对巴伦装置进行设计。

然而,在射频(radio frequency,RF)前端(front-end)模块中,巴伦装置占用大部分的芯片(die)和层压基板。无源器件(passive device)在典型的匹配网络上花费设计资源,尤其是要求高阻抗变换时。相应地,要求更多的金属层和更昂贵的制造工艺来实现具有许多无源器件的巴伦装置。然而,对于典型的IC封装或MCM(MCM-Multichip Module,多芯片组件)封装,通常需利用至少两种不同的技术来实现巴伦装置。然而,制造利用两种以上的技术的巴伦装置是复杂的,且大大增加成本。因此,需要有一种复合式无源装置和复合式制造方法来设计巴伦装置,以使该巴伦装置对利用至少一种技术的至少一个无源器件进行协同作用。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的之一在于提供一种复合式无源装置和复合式制造方法,以协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件。

在本发明的第一方面中,提供了一种复合式无源装置,用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件。该复合式无源装置包括第一无源元件和第二无源元件。第一无源元件利用该至少一种技术的第一技术和/或该至少一种技术的第二技术,第二技术不同于第一技术,以及,技术边界设置在第二技术和第一技术之间。该至少一个无源元件的第二无源元件不同于第一无源元件。第二无源元件利用第一技术和/或第二技术,以及,第一无源元件和第二无源元件通过技术边界彼此电磁耦合。

在本发明的另一方面中,当第一无源元件和/或第二无源元件利用第一技术以及第二技术时,将利用第一技术以及第二技术的第一无源元件和/或第二无源元件分成利用第一技术的第一子元件和利用第二技术的第二子元件,以及,第一子元件和第二子元件通过导电链连接。进一步地,导电链由导电材料组成,以传送导电电流和将所述第一技术和所述第二技术互连。此外,导电链包括通孔、焊接凸点或铜柱凸点。

在本发明的另一实施例中,第一无源元件和第二无源元件分别包括被第一技术和/或第二技术的电介质包围的金属结构。技术边界为用于与第一技术和/或第二技术的电介质相接触的平面。在本发明的另一方面中,第一技术和第二技术包括第一无源元件和第二无源元件所利用的基板技术和/或包括第一无源元件和第二无源元件所利用的制造工艺技术。基板技术包括层压基板、LGA基板和/或引线框。进一步地,制造工艺技术包括IPD制造工艺、CMOS制造工艺、化合物半导体工艺和/或封装成型工艺。第一无源元件和第二无源元件之间的电磁耦合包括用于共享磁场线的电感耦合和用于共享电场线的电容耦合。此外,复合式无源装置在覆晶式封装内被制造,以及,复合式无源装置是用于在单头和差分头之间转换的巴伦装置。

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