[发明专利]复合式无源装置及复合式制造方法

权利要求书

1.一种复合式无源装置，用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件，其特征在于，包括：

所述至少一个无源元件包括第一无源元件和不同于所述第一无源元件的第二无源元件，所述至少一种技术包括第一技术和不同于所述第一技术的第二技术；其中，所述第一无源元件利用所述第一技术和/或所述第二技术；所述第二无源元件利用所述第一技术和/或所述第二技术；

技术边界，设置在所述第一技术的电介质和所述第二技术的电介质之间；

所述第一无源元件和所述第二无源元件通过所述技术边界彼此电磁耦合；其中，当所述第一无源元件和所述第二无源元件中的任意无源元件利用所述第一技术和所述第二技术时，利用所述第一技术和所述第二技术的所述第一无源元件和所述第二无源元件中的该任意无源元件包括利用所述第一技术的第一子元件和利用所述第二技术的第二子元件，以及，所述第一子元件和所述第二子元件通过导电链连接。

2.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述导电链由导电材料组成，以传送导电电流和将所述第一技术和所述第二技术互连。

3.如权利要求2所述的复合式无源装置，其特征在于，所述导电链包括：通孔、焊接凸点或铜柱凸点。

4.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述第一无源元件和所述第二无源元件分别包括被所述第一技术和/或所述第二技术的电介质包围的金属结构。

5.如权利要求4所述的复合式无源装置，其特征在于，所述技术边界为用于接触所述第一技术的电介质和所述第二技术的电介质的平面。

6.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述第一技术和所述第二技术包括基板技术和制造工艺技术中的至少一种。

7.如权利要求6所述的复合式无源装置，其特征在于，所述基板技术包括层压基板、LGA基板和引线框中的至少一种。

8.如权利要求6所述的复合式无源装置，其特征在于，所述制造工艺技术包括IPD制造工艺、CMOS制造工艺、化合物半导体工艺和封装成型工艺中的至少一种。

9.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述第一无源元件和所述第二无源元件之间的电磁耦合包括用于共享磁场线的电感耦合和用于共享电场线的电容耦合。

10.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述复合式无源装置在覆晶式封装内被制造。

11.如权利要求1所述的复合式无源装置，其特征在于，所述复合式无源装置是用于在单头和差分头之间进行连接转换的巴伦装置。

12.一种复合式制造方法，用于协同作用利用至少一种技术的至少一个无源元件，其特征在于，所述至少一个无源元件包括第一无源元件和第二无源元件，该方法包括：

确定技术边界以及所述至少一种技术的第一技术和第二技术，其中，所述第二技术不同于所述第一技术，且所述技术边界设置在所述第二技术的电介质和所述第一技术的电介质之间；

设置利用所述第一技术和/或所述第二技术的第一无源元件；以及

设置所述第二无源元件，所述第二无源元件不同于所述第一无源元件，其中，所述第二无源元件利用所述第一技术和/或所述第二技术，且所述第一无源元件和所述第二无源元件通过所述技术边界彼此电磁耦合；

其中，当所述第一无源元件和所述第二无源元件中的任意无源元件利用所述第一技术和所述第二技术时，利用所述第一技术和所述第二技术的所述第一无源元件和所述第二无源元件中的该任意无源元件包括利用所述第一技术的第一子元件和利用所述第二技术的第二子元件，以及，所述第一子元件和所述第二子元件通过导电链连接。