[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置包括半导体基板。此半导体基板上包括第一绝缘材料层及多条位线位于第一绝缘材料层中，其中多条位线彼此平行且沿着第一方向延伸。此半导体装置亦包括第二绝缘材料条状结构横跨位线，形成于第一绝缘材料层中且沿着垂直于第一方向的第二方向延伸。此半导体装置亦包括两列接触窗沟槽，分别形成于第二绝缘材料条状结构两侧。此两列接触窗沟槽是垂直于上述位线且被上述位线分隔成为多个接触窗。上述接触窗在第一方向上的两侧壁分别邻接于第一绝缘材料层及第二绝缘材料条状结构。通过实施本发明，可改善产品良品率，有利于降低生产成本并简化工艺复杂度。

技术领域

本发明是有关于一种半导体记忆装置及其形成方法，且特别是有关于一种接触窗及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)主要是由一个电容器和一个晶体管组成。随着电子产品日渐小型化的趋势，对于存储器装置亦有逐渐小型化的需求。

对已知动态随机存取存储器而言，接触窗的底部与主动区接触的面积越大，重刷新时间(refresh time)越短，有利于提升装置反应速度。然而，接触窗底部与主动区接触的面积越大，接触窗顶部的间距就越小，如此一来将导致相邻接触窗的短路，将不利于装置体积的小型化。因此，仍有需要对动态随机存取存储器进行改良，以使其具有更小的临界尺寸及更快的反应速度。

发明内容

本发明的一实施例是提供一种半导体装置，包括：半导体基板，其中此半导体基板上包括第一绝缘材料层及多条位线位于第一绝缘材料层中，其中位线彼此平行且沿着第一方向延伸；第二绝缘材料条状结构横跨上述位线，形成于第一绝缘材料层中且沿着垂直于第一方向的第二方向延伸；两列接触窗沟槽，分别形成于第二绝缘材料条状结构两侧，其中接触窗沟槽是垂直于上述位线且被位线分隔成为多个接触窗，且其中接触窗在第一方向上的两侧壁分别邻接于第一绝缘材料层及第二绝缘材料条状结构。

本发明的另一实施例是提供一种半导体装置的形成方法，包括：提供半导体基板，其中半导体基板上包括第一绝缘材料层及多条位线位于第一绝缘材料层中，其中位线彼此平行且沿着第一方向延伸；沉积第二绝缘材料，以形成第二绝缘材料层于第一绝缘材料层上；形成牺牲层于第二绝缘材料层上；形成穿过上述牺牲层、第二绝缘材料层及第一绝缘材料层的沟槽，其中此沟槽沿着垂直于第一方向的第二方向延伸且横跨上述位线；沉积第二绝缘材料于沟槽中，以形成第二绝缘材料条状结构于第一绝缘材料层中；进行刻蚀工艺穿过第一绝缘材料层，以在上述第二绝缘材料条状结构两侧分别形成一列接触窗沟槽，其中接触窗沟槽是垂直于上述位线且被位线分隔成为多个接触窗；以及拓宽接触窗沟槽底部的口径，以使上述接触窗在第一方向上的两侧壁分别邻接于第一绝缘材料层及第二绝缘材料层。

本发明的又一实施例是提供一种半导体装置，包括：基板，此基板包括至少两条位线，其中位线彼此平行且沿着第一方向延伸；以及接触窗，设置于上述两条位线之间，其中此接触窗在该第一方向上的两侧壁为不同材质的第一绝缘层及第二绝缘层，且其中第二绝缘层具有朝向该基板逐渐缩窄的下部。

通过实施本发明，可改善产品良品率，有利于降低生产成本并简化工艺复杂度。为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一些实施例的半导体装置的俯视示意图。

图2A至图2O为本发明一些实施例的半导体装置的工艺剖面示意图。

图3A至图3K为本发明一些实施例的半导体装置的工艺剖面示意图。

图4为本发明一些实施例的半导体装置的俯视示意图。

附图标号

10 第一方向

20 第二方向