[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：

一半导体基板，其中该半导体基板上包括一第一绝缘材料层及多条位线位于该第一绝缘材料层中，其中所述位线彼此平行且沿着一第一方向延伸；

一第二绝缘材料条状结构横跨所述位线，形成于该第一绝缘材料层中且沿着垂直于该第一方向的一第二方向延伸，其中该第二绝缘材料条状结构在该第一方向包括朝向该半导体基板逐渐缩窄的下部分；

两列接触窗沟槽，分别形成于该第二绝缘材料条状结构两侧，其中所述接触窗沟槽是垂直于所述位线且被所述位线分隔成为多个接触窗，且其中所述接触窗在该第一方向上的两侧壁分别邻接于该第一绝缘材料层及该第二绝缘材料条状结构。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一绝缘材料层包括一第一绝缘材料，该第二绝缘材料条状结构包括一第二绝缘材料，且该第一绝缘材料不同于该第二绝缘材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接触窗在该第一方向上具有邻接于该第一绝缘材料层的一第一侧壁，其中该第一侧壁垂直于该半导体基板。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接触窗在该第一方向上具有一上部分及一下部分，其中该上部分具有一均一的口径，且其中该下部分具有一朝向该上部分逐渐缩窄的口径。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接触窗的深宽比为2-40。

6.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，该半导体装置的形成方法包括：

提供一半导体基板，其中该半导体基板上包括一第一绝缘材料层及多条位线位于该第一绝缘材料层中，其中所述位线彼此平行且沿着一第一方向延伸；

沉积一第二绝缘材料，以形成一第二绝缘材料层于该第一绝缘材料层上；

形成一牺牲层于该第二绝缘材料层上；

形成穿过该牺牲层、该第二绝缘材料层及该第一绝缘材料层的一沟槽，其中该沟槽沿着垂直于该第一方向的一第二方向延伸且横跨所述位线；

沉积该第二绝缘材料于该沟槽中，以形成一第二绝缘材料条状结构于该第一绝缘材料层中；

进行一刻蚀工艺穿过该第一绝缘材料层，以在该第二绝缘材料条状结构两侧分别形成一列接触窗沟槽，其中所述接触窗沟槽是垂直于所述位线且被所述位线分隔成为多个接触窗；以及

拓宽所述接触窗沟槽底部的口径，以使所述接触窗在该第一方向上的两侧壁分别邻接于该第一绝缘材料层及该第二绝缘材料层。

7.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成穿过该牺牲层、该第二绝缘材料层及该第一绝缘材料层的该沟槽的步骤包括：

进行一第一刻蚀工艺穿过该牺牲层及该第二绝缘材料层，以在该牺牲层中形成一沟槽；以及

进行一第二刻蚀工艺穿过该第一绝缘材料层，以加深该沟槽的深度，其中该第一刻蚀工艺的工艺参数不同于第二刻蚀工艺的工艺参数，以使该沟槽具有垂直于该半导体基板的一上部分及朝向该半导体基板逐渐缩窄的一下部分。

8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该第一刻蚀工艺及该第二刻蚀工艺为脉冲式反应性离子刻蚀工艺，其中该第一刻蚀工艺的刻蚀偏压大于该第二刻蚀工艺的刻蚀偏压。