[发明专利]一种全桥式IGBT组件在审

专利信息
申请号: 201510771682.0 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN106712459A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 张升;王成昊;魏晓光;贺之渊;周万迪;刘远;张宁 申请(专利权)人: 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网湖北省电力公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H01L25/07
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司11271 代理人: 徐国文
地址: 102211 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 全桥式 igbt 组件
【权利要求书】:

1.一种全桥式IGBT组件,其特征在于,包括压装单元、引出母排单元和IGBT器件单元;

所述压装单元包括由两个法兰和4根金属支撑梁组成的压装结构件(4)和绝缘支架(2);所述IGBT器件单元和所述引出母排单元通过压装结构件(4)和绝缘支架(2)进行压装和固定。

2.如权利要求1所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,所述绝缘支架(2)通过绝缘螺栓将所述引出母排单元的引出板固定在所述压装结构(4)其中的一个法兰上。

3.如权利要求1所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,所述IGBT器件单元包括通过导线连接的IGBT器件(5)、电容和散热器(6);所述IGBT器件(5)两侧均设置有所述散热器(6);所述IGBT器件(5)之间通过散热器相电气连接。

4.如权利要求3所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,所述IGBT器件(5)包括4只IGBT压装分为两组IGBT器件组合,一组IGBT器件组合为共集电极布置,另一组IGBT器件组合为共发射集布置;

所述共集电极布置为两只IGBT的集电极相对设置;所述共发射极布置为两只IGBT的发射极相对设置。

5.如权利要求1所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,;两所述IGBT器件组合之间通过散热器进行电气连接。

6.如权利要求1所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,所述引出母排单元包括中间引出母排(1)和跨接引出母排(3);

所述中间引出母排(1)的引出板位于两组IGBT器件之间;所述跨接引出母排(3)与压装结构(4)两端的散热器相连,引出至压装结构(4)外部。

7.如权利要求1所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,所述法兰包括上法兰和下法兰,两所述法兰通过端部带有螺纹的四根金属杆连接,并通过螺帽固定。

8.如权利要求4所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,所述中间引出母排(1)采用铜排设计;所述跨接引出母排(3)采用软连接铜排。

9.如权利要求1所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,所述绝缘支架(2)分别将所述中间引出母排(1)和所述跨接引出母排(3)固定在所述法兰的相对两侧。

10.如权利要求1所述的全桥式IGBT组件,其特征在于,所述中间(1)和所述跨接引出母排(3)呈“S”状,并在其上设置有螺孔。

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