[发明专利]一种全桥式IGBT组件

说明书

技术领域

本发明属于柔性直流输电及直流电网领域，具体设计一种全桥式IGBT组件。

背景技术

IGBT是MOSFET和双极晶体管的复合器件，它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管高电压、大电流等优点，目前正被广泛地应用于性直流输电技术领域。其高可靠性、大通流能力、短路故障模式等特点使其成为柔性直流输电系统中高可靠要求装备的首选器件形式。

H桥全桥单元是大容量电力电子装备中常用换流单元的拓扑形式。目前装备容量的不断提升对H桥全桥单元容量也提出了要求。因此，使用压接型IGBT的H桥全桥单元正在体现出其优势。而压接型IGBT的压装组件是H桥全桥单元中最核心的组件。

因此需要发明一种全桥式IGBT组件，来实现采用压接式IGBT的大容量H桥全桥单元。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的上述不足，本发明提供一种全桥式IGBT组件，可提高大功率IGBT开关组件的结构集成度，增加组件单位体积下的功率容量。

本发明提供一种全桥式IGBT组件，包括压装结构件(4)、母排绝缘支架(2)、IGBT器件(5)、散热器(6)、中间引出母排(1)、跨接引出母排(3)；

所述IGBT器件(5)、散热器(6)、中间引出母排(1)、跨接引出母排(3)通过压装结构(4)进行紧密压装连接，所述中间引出母排(1)和所述跨接引出母排(3)通过所述母排绝缘支架(2)固定在所述压装结构件(4)上。

优选的，所述IGBT包括4只IGBT压装分为两组IGBT器件组合，一组IGBT器件组合为共集电极布置，另一组IGBT器件组合为共发射集布置；

所述共集电极布置为两只IGBT的集电极相对设置，中间设计散热器；

所述共发射极布置为两只IGBT的发射极相对设置，中间设计散热器。

优选的，两组IGBT器件间，集电极和发射极分别通过所述散热器(6)和跨 接引出母排(3)进行连接。

优选的，所述中间引出母排(1)采用铜排设计；所述跨接引出母排(3)采用软连接铜排。

优选的，所述IGBT两侧均设计有散热器(6)。

优选的，所述中间引出母排(1)的引出板位于两组IGBT器件组合之间。

优选的，所述跨接引出母排(3)的一个引出板与其中一组IGBT器件组合的一端的散热器(6)相接触，所述跨接引出母排(3)的另一个引出板与另一组IGBT器件组合的相对一端的散热器(6)相接触。

与现有技术相比，本发明的优益效果为：

1.通过本发明中所述一种全桥式IGBT组件，实现了在一组IGBT压装组件中构建H桥全桥拓扑；

2.通过本发明中所述一种全桥式IGBT组件，实现了H桥全桥模块工作过程中杂散参数的最小化设计；

3.通过本发明中所述一种全桥式IGBT组件，可以提高大功率IGBT开关组件的结构集成度，增加组件单位体积下的功率容量；

4.通过本发明中所述一种全桥式IGBT组件，可以提高组件的可靠性。

附图说明

图1为本发明的全桥式IGBT组件结构示意图；

图2为本发明的全桥式IGBT组件侧视图；

图3为本发明的全桥式IGBT组件机械电气连接示意图；

图4为本发明的全桥式IGBT组件剖视图；

图5为本发明的H桥全桥电气拓扑图；

其中，1-中间引出母排、2-母排绝缘支架、3-跨接引出母排、4-压装结构件、5-IGBT器件、6-散热器。

具体实施方式

为了更好地理解本发明，下面结合说明书附图和实例对本发明的内容做进一步的说明。

本发明提供一种全桥式IGBT组件，包括压装结构件(4)、母排绝缘支架(2)、 IGBT器件(5)、散热器(6)、中间引出母排(1)、跨接引出母排(3)；

所述IGBT器件(5)、散热器(6)、中间引出母排(1)、跨接引出母排(3)通过压装结构(4)进行紧密压装连接，所述中间引出母排(1)和所述跨接引出母排(3)通过所述母排绝缘支架(2)固定在所述压装结构件(4)上。

如图5所示，本发明应用于H桥全桥单元，本发明所述范围不包含H桥中的电容器及其连接导线。

如图1所示，本发明所涉及一种全桥式IGBT组件通过压装结构件4将IGBT器件5、散热器6、中间引出母排1、跨接引出母排3等进行紧密的压装连接以及绝缘隔离。