[发明专利]电容屏及其制造方法

权利要求书

1.电容屏，包括基板(1)，其特征在于：在基板(1)的上表面和/或下表面的中部区域设置有ITO图案层(2)；在ITO图案层(2)的外围的基板(1)上设置有金属导电层(3)，所述金属导电层(3)包括多条彼此独立的金属导线(31)，每条金属导线(31)与ITO图案层(2)内对应的ITO图案连通；在每条金属导线(31)的上方还设置有与金属导线(31)形状对应的ITO保护层(4)。

2.如权利要求1所述的电容屏，其特征在于：所述ITO图案层(2)和ITO保护层(4)由同一次真空镀作业形成的一体结构。

3.如权利要求1所述的电容屏，其特征在于：所述金属导电层(3)为铜。

4.如权利要求3所述的电容屏，其特征在于：所述金属导电层(3)的厚度为

5.如权利要求1所述的电容屏，其特征在于：所述基板(1)为玻璃或者PET。

6.用于制造上述权利要求1至5中任一项所述的电容屏的制造方法，其特征在于：按照如下步骤进行：

A)通过真空镀方法，在基板(1)的上表面和/或下表面获得金属导电层(3a)；

B)通过金属蚀刻方法，将金属导电层(3a)上的中部区域去除，同时露出相应基板(1)的表面，留下边框结构的金属导电层(3b)；

C)通过真空镀方法，在边框结构的金属导电层(3b)的表面以及金属层中部区域的基板(1)表面获得ITO层(2a)；

D)通过ITO蚀刻方法，将边框结构的金属导电层(3b)上的ITO层蚀刻成ITO保护层(4)，将金属导电层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层(2)；

E)通过金属蚀刻方法，将边框结构的金属导电层(3b)中未被上层ITO保护层(4)覆盖的区域去除，形成多条彼此独立的金属导线(31)。

7.如权利要求6所述的电容屏的制造方法，其特征在于：步骤B)中的金属蚀刻方法，包括如下步骤：

B1)第一次压膜，在金属导电层(3)上压制一层干膜层(5)；

B2)第一次曝光，在干膜层(5)上铺设底片(6)，然后进行曝光；

B3)第一次显影，曝光后干膜层(5)的中部区域被去除，留下边框结构的干膜层(5a)；

B4)第一次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被边框结构的干膜层(5a)覆盖的金属去除，并暴露出相应基板(1)的表面，留下边框结构的金属导电层(3b)；

B5)第一次脱膜，将边框结构的干膜层(5a)去除。

8.如权利要求7所述的电容屏的制造方法，其特征在于：步骤D)中的ITO蚀刻方法与步骤E)中的金属蚀刻方法连续进行，包括如下步骤：

D1)第二次压膜，在ITO层(2a)上压制一层干膜层(5)；

D2)第二次曝光，在干膜层(5)上铺设底片(6)，然后进行曝光；

D3)第二次显影，曝光后形成相应图案结构的干膜层(5b)；

D4)第一次蚀刻ITO，使用ITO蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层(5b)覆盖的ITO去除，将边框结构的金属导电层(3b)上的ITO层蚀刻成ITO保护层(4)，将金属层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层(2)；

E1)第二次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层(5b)以及对应ITO保护层(4)覆盖的金属去除，并暴露出相应基板(1)的表面，形成多条彼此独立的金属导线(31)；

E2)第二次脱膜，将图案结构的干膜层(5b)去除。