[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

优先权声明和交叉引用

本申请要求于2014年12月30日提交的美国临时专利申请第62/098,206号的优先权,其全部内容通过引用结合于此作为参考。

技术领域

本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步产生了数代的IC，其中每一代IC都比上一代IC具有更小且更复杂的电路。为了提高IC的性能，使用了应变硅以增强载流子迁移率和改进器件性能。应变硅是其中硅原子伸展超出其正常的原子间的距离的硅层。将这些硅原子移动为相距较远降低了干扰电子移动通过晶体管的原子力，并且由此具有更好的迁移率，从而导致更好的芯片性能和更低的能耗。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一应变诱导源极和漏极结构，至少部分地设置在所述衬底中；第一栅极结构，设置在所述衬底上和所述第一应变诱导源极和漏极结构之间；第一沟道区，设置在所述衬底中和所述第一栅极结构下方，其中，所述第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与所述第一沟道区的第一接近度；第二应变诱导源极和漏极结构，至少部分地设置在所述衬底中；第二栅极结构，设置在所述衬底上和所述第二应变诱导源极和漏极结构之间；以及第二沟道区，设置在所述衬底中和所述第二栅极结构下方，其中，所述第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与所述第二沟道区的第二接近度，并且所述第二接近度与所述第一接近度不同。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一应变诱导源极和漏极结构，至少部分地设置在所述衬底中；第一沟道区，设置在所述衬底中和所述第一应变诱导源极和漏极结构之间；第一栅极结构，设置在所述第一沟道区上方，其中，所述第一栅极结构和所述第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个彼此分离第一距离；第二应变诱导源极和漏极结构，至少部分地设置在所述衬底中；第二沟道区，设置在所述衬底中和所述第二应变诱导源极和漏极结构之间；以及第二栅极结构，设置在所述第二沟道区上方，其中，所述第二栅极结构和所述第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个彼此分离第二距离，并且所述第一距离大于所述第二距离。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；以及至少部分地在所述衬底中形成第一应变诱导源极和漏极结构和第二应变诱导源极和漏极结构，其中，以使得所述第一栅极结构形成在所述第一应变诱导源极和漏极结构之间，所述第一栅极结构与所述第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个分离第一距离，所述第二栅极结构形成在所述第二应变诱导源极和漏极结构之间，所述第二栅极结构与所述第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个分离第二距离的方式执行形成所述第一应变诱导源极和漏极结构和所述第二应变诱导源极和漏极结构，并且所述第一距离和所述第二距离彼此不同。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或缩小。

图1是根据本发明的一些实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图。

图2至图7是根据图1的方法的一些实施例的处于各个制造阶段的半导体器件的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。