[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一应变诱导源极和漏极结构，至少部分地设置在所述衬底中；

第一栅极结构，设置在所述衬底上和所述第一应变诱导源极和漏极结构之间；

第一沟道区，设置在所述衬底中和所述第一栅极结构下方，其中，所述第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与所述第一沟道区的第一接近度；

第二应变诱导源极和漏极结构，至少部分地设置在所述衬底中；

第二栅极结构，设置在所述衬底上和所述第二应变诱导源极和漏极结构之间；以及

第二沟道区，设置在所述衬底中和所述第二栅极结构下方，其中，所述第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个具有与所述第二沟道区的第二接近度，并且所述第二接近度与所述第一接近度不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

至少一个第一间隔件，设置在所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；以及

至少一个第二间隔件，设置在所述第二栅极结构的至少一个侧壁上，其中，所述第一间隔件和所述第二间隔件具有不同的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一应变诱导源极和漏极结构彼此分离第一距离，所述第二应变诱导源极和漏极结构彼此分离第二距离，并且所述第二距离与所述第一距离不同。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一应变诱导源极和漏极结构、所述第一栅极结构和所述第一沟道区是第一晶体管的部分，所述第二应变诱导源极和漏极结构、所述第二栅极结构和所述第二沟道区是第二晶体管的部分，并且所述第一晶体管和所述第二晶体管是相同的类型。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一应变诱导源极和漏极结构是由能够在所述第一沟道区中诱导压缩应变的材料制成的。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二应变诱导源极和漏极结构是由能够在所述第二沟道区中诱导压缩应变的材料制成的。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一应变诱导源极和漏极结构是由能够在所述第一沟道区中诱导拉伸应变的材料制成的。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二应变诱导源极和漏极结构是由能够在所述第二沟道区中诱导拉伸应变的材料制成的。

9.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一应变诱导源极和漏极结构，至少部分地设置在所述衬底中；

第一沟道区，设置在所述衬底中和所述第一应变诱导源极和漏极结构之间；

第一栅极结构，设置在所述第一沟道区上方，其中，所述第一栅极结构和所述第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个彼此分离第一距离；

第二应变诱导源极和漏极结构，至少部分地设置在所述衬底中；

第二沟道区，设置在所述衬底中和所述第二应变诱导源极和漏极结构之间；以及

第二栅极结构，设置在所述第二沟道区上方，其中，所述第二栅极结构和所述第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个彼此分离第二距离，并且所述第一距离大于所述第二距离。

10.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；以及

至少部分地在所述衬底中形成第一应变诱导源极和漏极结构和第二应变诱导源极和漏极结构，其中，以使得所述第一栅极结构形成在所述第一应变诱导源极和漏极结构之间，所述第一栅极结构与所述第一应变诱导源极和漏极结构的至少一个分离第一距离，所述第二栅极结构形成在所述第二应变诱导源极和漏极结构之间，所述第二栅极结构与所述第二应变诱导源极和漏极结构的至少一个分离第二距离的方式执行形成所述第一应变诱导源极和漏极结构和所述第二应变诱导源极和漏极结构，并且所述第一距离和所述第二距离彼此不同。