[发明专利]双路脉冲激光器驱动芯片有效
| 申请号: | 201510765100.8 | 申请日: | 2015-11-11 | 
| 公开(公告)号: | CN105261931B | 公开(公告)日: | 2018-08-10 | 
| 发明(设计)人: | 纪亚飞;赵柏秦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 | 
| 主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 | 
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 | 
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 脉冲 激光器 驱动 芯片 | ||
1.一种双路脉冲激光器驱动芯片,包括:
一内部振荡源;
一选择通道,该选择通道11的输入端与内部振荡源的输出端连接;
一第一施密特触发器,其输入端与选择通道的输出端连接;
一第一电容,该第一电容的一端与第一施密特触发器的输出端连接;
一第二施密特触发器,该第二施密特触发器的输入端与该第一电容的另一端连接,该第二施密特触发器的输入端与第一电容之间连接有一第一电阻,该第一电阻的另一端接地,此第一电阻为外接可调电阻;
一第一驱动单元,该第一驱动单元的输入端与第二施密特触发器的输出端连接;
一第一MOS管,该第一MOS管的栅极与第一驱动单元的输出端连接,漏极与电源之间连接有一第一激光二极管,其中第一MOS管和第一激光二极管为外部连接;
一第三施密特触发器,其输入端与选择通道的输出端连接;
一第二电容,该第二电容的一端与第三施密特触发器的输出端连接;
一第四施密特触发器,该第四施密特触发器的输入端与该第二电容的另一端连接,该第四施密特触发器的输入端与第二电容之间连接有一第二电阻,该第二电阻的另一端接地,此第二电阻为外接可调电阻;
一第二驱动单元,该第一驱动单元的输入端与第二施密特触发器的输出端连接;
一第二MOS管,该第二MOS管的栅极与第二驱动单元的输出端连接,漏极与电源之间连接有一第二激光二极管,其中第二MOS管和第二激光二极管为外部连接;
其中所述的第一驱动单元、第二驱动单元的结构相同,包括:
一第三反相器;
一第四反相器,其输入端与第三反相器输出端连接;
一双端输入或非门,其输入端连接至第四反相器的输出端;
一双端输入与非门,其输入端连接至第三反相器的输出端;
一第四NMOS管,其栅极连接至第三反相器的输入端,源极接地;
一第五NMOS管,其栅极连接至或非门的输出端,源极连接至第四NMOS管的漏极;
一第四PMOS管,其栅极连接至或非门的输出端,漏极连接至第五NMOS管的漏极并连接至与非门的输入端;
一第五PMOS管,其栅极连接至第三反相器的输出端,漏极连接至第四NMOS管的源极,源极连接至电源;
一第六NMOS管,其栅极连接至第三反相器的输出端,源极接地;
一第七NMOS管,其栅极连接至与非门的输出端,源极连接至第六NMOS管的漏极;
一第六PMOS管,其栅极连接至与非门的输出端,其漏极和第七NMOS管的漏极连接至或非门的输入端;
一第七PMOS管,其栅极连接至第三反相器的输出端,漏极连接至第六PMOS管的漏极;
一第八NMOS管,其栅极连接至第七NMOS管的漏极,源极接地,漏极接输出端;
一第八PMOS管,其栅极连接至第五NMOS管的漏极,源极接电源,漏极接输出端。
2.根据权利要求1所述的双路脉冲激光器驱动芯片,其中所述的内部振荡源是RC反馈振荡器。
3.根据权利要求2所述的双路脉冲激光器驱动芯片,其中RC反馈振荡器包括一第一反向器和串接的第二反向器,该第一反向器和第二反向器的首尾通过一电容连接,该第一反向器和第二反向器之间与通过一电阻与第一反向器的输入端连接。
4.根据权利要求1所述的双路脉冲激光器驱动芯片,其中选择通道的另一输入端接收外部时钟信号。
5.根据权利要求1所述的双路脉冲激光器驱动芯片,其中所述的第一施密特触发器、第二施密特触发器、第三施密特触发器和第四施密特触发器的结构相同,包括:
一第一NMOS管、一第二NMOS管、一第一PMOS管和一第二PMOS管,其栅极连接在一起;该第一NMOS管的漏极接第二NMOS管的源极;该第一PMOS管的源极接第二PMOS管的漏极;该第二NMOS管和第一PMOS管的漏极相连接;
一第三NMOS管,其漏极与第一NMOS管的漏极连接;
一第三PMOS管,其漏极与第二PMOS管的漏极连接;
该第三NMOS管和第三PMOS管的栅极连接至第二NMOS管的漏极。
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