[发明专利]泡生法晶体生长单晶炉脱锅方法、温控方法和控制方法

权利要求书

1.一种泡生法晶体生长单晶炉脱锅方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)若测得的晶体重量大于设定重量上限值a，将晶体以0.1-5mm/h的速度向下运动，直至测得的晶体重量小于设定重量下限值b后，将晶体以0.1-5mm/h的速度持续向上运动；

2)上述运动一直进行，直到冷却程序运行结束。

2.根据权利要求1所述的泡生法晶体生长单晶炉脱锅方法，其特征在于，所述重量上限a值为晶体重量加上5-10kg后的数值，重量下限b为晶体重量加上0-5kg后的数值。

3.一种泡生法晶体生长单晶炉脱锅温控方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)若单晶炉功率为初始功率的30％以下或测得炉内温度范围为350℃以下时，则将下法兰冷却水流量调整为初始值的20～30％，并返回步骤1)；

2)若单晶炉功率为功初始率的30～60％或测得炉内温度范围为350～850℃时时，则将下法兰冷却水流量调整为初始值的50％～60％，并返回步骤1)；

3)若单晶炉功率为初始功率的60％-80％之间或测得炉内温度范围为850～1900℃时，则将下法兰冷却水流量调整为初始值的70～80％，并返回步骤1)。

4)若进入冷却后，当前功率值在80％以上时，下法兰盘水流量不变化，并返回步骤1)。

4.一种泡生法晶体生长单晶炉脱锅控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)当晶体生长完成后，控制器启动电机控制和下法兰冷却水流控制算法；

2)当电机控制算法终止后，确认炉内充气完毕，程序终止。

5.根据权利要求4所述的泡生法晶体生长单晶炉脱锅控制方法，其特征在于，所述的电机控制算法包括以下步骤：

1.1.1)若测得的晶体重量大于设定重量上限值a，将晶体以0.1-5mm/h的速度向下运动，直至测得的晶体重量小于设定重量下限值b后，将晶体以0.1-5mm/h的速度持续向上运动；

1.1.2)若测得的晶体重量仍大于设定重量上限值a，则返回步骤1)，反之，程序终止。

6.根据权利要求5所述的泡生法晶体生长单晶炉脱锅控制方法，其特征在于，所述重量上限a值为晶体实际投料重量加上5-10kg后的数值，重量下限b为晶体实际投料重量加上0-5kg后的数值。

7.根据权利要求4所述的泡生法晶体生长单晶炉脱锅控制方法，其特征在于，所述的下法兰冷却水流控制算法包括以下步骤：

1.2.1)若单晶炉功率为初始功率的30％以下或测得炉内温度范围为350℃以下时，则将下法兰冷却水流量调整为初始值的20～30％，并返回步骤1)；

1.2.2)若单晶炉功率为功初始率的30～60％或测得炉内温度范围为350～850℃时时，则将下法兰冷却水流量调整为初始值的50％～60％，并返回步骤1)；

1.2.3)若单晶炉功率为初始功率的60％-80％之间或测得炉内温度范围为850～1900℃时，则将下法兰冷却水流量调整为初始值的70～80％，并返回步骤1)。

1.2.4)若进入冷却后，当前功率值在80％以上时，下法兰盘水流量不变化，并返回步骤1)。