[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件，其能够抑制因对半导体器件的电极膜的表面进行引线接合时的应力和受热历程而产生的栅极阈值电压的劣化。半导体器件中，作为接合用的电极膜，具有设置于半导体芯片上的、颗粒51_j‑2、51_j‑1、51_j、51_j+1、51_j+2、……的粒径大致为金属膜1a的厚度d以上的粒径的金属膜1a。

技术领域

本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。

背景技术

在以二极管和集成电路(IC)等为主的半导体器件的制造中，进行下述工序：通过软钎焊等将以规定的尺寸从晶片切割下的芯片状的半导体器件与引线框等固定部件连接后，通过引线接合将形成于半导体芯片的上表面的电极膜和引线框的电极端子固定。

使金属制的引线和金属制的电极膜的表面接触进行引线接合时，存在因超声波的能量(power)等，在电极膜的内部产生裂纹等损伤的情况。作为抑制引线接合损伤的技术，提出了将形成于半导体器件的电极膜的下侧的层间绝缘膜形成为两层构造，通过在该两层间形成凹凸部，降低引线接合时的损伤的方法(参照专利文献1)。

但是，例如在作为功率半导体器件使用的场效应晶体管(MOSFET)或绝缘栅双极晶体管(IGBT)等半导体器件中，因较大的电流流入半导体器件与外部之间，所以需要增大用于接合的引线的直径(例如300μm左右)。另外，功率半导体器件的电极膜的厚度通常为1～10μm左右，所以引线的直径远大于电极膜的厚度。因此，由引线接合带来的对电极膜的负荷也增大，所以存在即使使用专利文献1的技术，也不能充分降低在半导体器件产生的裂纹等损伤的情况。而且，因损伤而劣化的半导体器件的各种特性之中，尤其是包含于封装件内部的可动离子等杂质的影响导致的半导体器件的栅极阈值电压的劣化显著，因而期望找到解决栅极阈值电压的劣化的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-303186号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明是着眼于上述的问题而完成的，其目的在于，提供能够抑制因引线接合时的应力及受热历程产生的半导体器件的栅极阈值电压的劣化的半导体器件及该半导体器件的制造方法。

解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，本发明的半导体器件的某方式的要旨在于，作为接合用的电极膜，具有设置于半导体芯片上的、颗粒的粒径大致为金属膜的厚度以上的粒径的金属膜。另外，本发明的半导体器件的制造方法的某方式的要旨在于，包括：以颗粒的粒径大致为金属膜的厚度以上的方式在半导体芯片上形成金属膜，并将该金属膜作为电极膜的工序；和在电极膜的表面接合引线的工序。

发明效果

根据本发明的半导体器件及半导体器件的制造方法，能够抑制因引线接合时的应力和受热历程而产生的半导体器件的栅极阈值电压的劣化。

附图说明

图1是示意地说明本发明的实施方式的半导体器件的局部剖视图；

图2是示意地说明本发明的实施方式的半导体器件的电极膜和引线的接合状态的局部剖视图；

图3是图2中的C部分的放大图；

图4A是示意地说明对本发明的实施方式的半导体器件进行的引线接合的局部剖视图(其1)；

图4B是示意地说明对本发明的实施方式的半导体器件进行的引线接合的局部剖视图(其2)；

图5是表示电极膜与引线的硬度比和栅极阈值电压劣化的制品发生率的相关的特性图；