[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510744833.3 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105679729B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 西村武义 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;杨艺 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电极膜 金属膜 粒径 栅极阈值电压 半导体芯片 受热历程 引线接合 接合 劣化 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于：
作为接合用的电极膜，具有设置于半导体芯片上的、颗粒的粒径大致为金属膜的厚度以上的粒径的金属膜，
以维氏硬度计，所述金属膜的硬度为接合用的引线的硬度的70％以上，
所述金属膜含有硅，
在所述金属膜的接合所述引线的一侧的相反侧的面还具有抑制所述金属膜中的硅结节的成长的阻挡金属层。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述阻挡金属层是按钛、氮化钛、钛的顺序层叠的膜。
3.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体芯片上形成阻挡金属层的工序；
以颗粒的粒径大致为金属膜的厚度以上的方式在所述阻挡金属层上形成所述金属膜，并将所述金属膜作为电极膜的工序；和
在所述电极膜的表面接合引线的工序，
以维氏硬度计，所述金属膜的硬度为接合用的引线的硬度的70％以上，
所述金属膜含有硅，
所述阻挡金属层形成在所述金属膜的接合所述引线的一侧的相反侧的面上，抑制所述金属膜中的硅结节的成长。
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