[发明专利]一种芍药利用自然低温促成栽培方法有效

专利信息
申请号: 201510744801.3 申请日: 2015-10-31
公开(公告)号: CN105325153B 公开(公告)日: 2018-10-30
发明(设计)人: 赵雪梅;梁晨霞;于晓玉 申请(专利权)人: 赤峰学院
主分类号: A01G22/60 分类号: A01G22/60;A01G7/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 024000 内蒙*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 一种 芍药 利用 自然 低温 促成 栽培 方法
【权利要求书】:

1.一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)苗木准备:将4-5年生芍药苗9月到10月种植于地形平坦,排水良好的露地中,期间平均温度为20-8℃;所述芍药的栽培地区为赤峰地区;

(2)起苗:11月中旬到12月中旬,平均温度-15℃到-25℃,冻土层厚度为5-15cm,将芍药苗于露地起苗,晾置5-7d;

(3)激素处理:使用生根粉和赤霉素组合溶液处理芍药根部,先使用生根粉溶液喷撒芍药根部至淋漓,待淋漓的根部稍干后往根部再喷撒赤霉素溶液亦至淋漓,其中所选用的生根粉浓度为100mg/L,赤霉素浓度为200mg/L;

(4)上盆:将激素处理后的芍药苗植入花盆中,将盆栽移入温室中置于温室庇荫处养护,两天后浇透水,待1-2周盆栽芍药缓苗后将盆栽芍药置于温室正常光照处管理;在所述花盆底部放置粗粒基质和100g/盆的复合肥,花盆中栽培基质采用有机质∶园土∶沙土=1∶3∶2的比例配制,栽培基质放置于粗粒基质和复合肥之上;

(5)温室培养:将盆栽芍药苗在温室中培养,芍药萌发后辅以补光、温湿度调节措施。

2.根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,所述温室内补光时的光照强度为100W白炽灯照射,当芍药苗萌发后每天补光至晚7点,每天光照不少于12h。

3.根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,所述温室内温度控制在15-25℃,通过加温、通风透光控制温度。

4.根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,所述温室内湿度控制在15%-30%,通过通风透光控制。

5.根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,所述的芍药品种为‘大富贵’。

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