[发明专利]一种芍药利用自然低温促成栽培方法有效
申请号: | 201510744801.3 | 申请日: | 2015-10-31 |
公开(公告)号: | CN105325153B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
发明(设计)人: | 赵雪梅;梁晨霞;于晓玉 | 申请(专利权)人: | 赤峰学院 |
主分类号: | A01G22/60 | 分类号: | A01G22/60;A01G7/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 024000 内蒙*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芍药 利用 自然 低温 促成 栽培 方法 | ||
1.一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)苗木准备:将4-5年生芍药苗9月到10月种植于地形平坦,排水良好的露地中,期间平均温度为20-8℃;所述芍药的栽培地区为赤峰地区;
(2)起苗:11月中旬到12月中旬,平均温度-15℃到-25℃,冻土层厚度为5-15cm,将芍药苗于露地起苗,晾置5-7d;
(3)激素处理:使用生根粉和赤霉素组合溶液处理芍药根部,先使用生根粉溶液喷撒芍药根部至淋漓,待淋漓的根部稍干后往根部再喷撒赤霉素溶液亦至淋漓,其中所选用的生根粉浓度为100mg/L,赤霉素浓度为200mg/L;
(4)上盆:将激素处理后的芍药苗植入花盆中,将盆栽移入温室中置于温室庇荫处养护,两天后浇透水,待1-2周盆栽芍药缓苗后将盆栽芍药置于温室正常光照处管理;在所述花盆底部放置粗粒基质和100g/盆的复合肥,花盆中栽培基质采用有机质∶园土∶沙土=1∶3∶2的比例配制,栽培基质放置于粗粒基质和复合肥之上;
(5)温室培养:将盆栽芍药苗在温室中培养,芍药萌发后辅以补光、温湿度调节措施。
2.根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,所述温室内补光时的光照强度为100W白炽灯照射,当芍药苗萌发后每天补光至晚7点,每天光照不少于12h。
3.根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,所述温室内温度控制在15-25℃,通过加温、通风透光控制温度。
4.根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,所述温室内湿度控制在15%-30%,通过通风透光控制。
5.根据权利要求1所述的一种芍药利用自然低温促成栽培方法,其特征在于,所述的芍药品种为‘大富贵’。
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