[发明专利]基板处理设备

说明书

公开一种基板处理设备，该设备可包括：壳体，所述壳体包括上部主体和下部主体，所述上部主体和所述下部主体彼此耦合以限定处理空间，所述下部主体设置在所述上部主体的下方；支撑单元，所述支撑单元耦合到所述上部主体，所述支撑单元支撑布置在所述处理空间中的基板的边缘；流体供应单元，所述流体供应单元构造为将流体供应到所述处理空间；密封构件，所述密封构件设置在所述上部主体和所述下部主体之间，且所述密封构件与所述上部主体和所述下部主体接触，所述密封构件将所述处理空间与外部空间密封隔离；以及隔离板，所述隔离板安装在所述密封构件和所述支撑单元之间。其中，所述隔离板设置为面向所述密封构件。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及基板处理设备，尤其涉及用于清洁基板的基板处理设备。

背景技术

通常，通过在基板(例如硅片)上执行各种工艺(例如，光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺和沉积工艺)来制造半导体器件。

在各个工艺中，可能产生各种外来杂质(例如，粒子、有机污染物和金属杂质)。外来杂质可导致处理基板的后续工艺中的工艺缺陷，从而导致半导体器件的性能退化和产量减少，因此，在制造半导体器件的工艺中，有必要执行清洁工艺来去除这些外来杂质。

清洁工艺可包括使用化学制品去除基板表面的污染物的化学处理工艺；使用纯水或去离子水去除残留在基板表面的化学制品的湿法净化工艺；以及在基板表面上供应脱水流体以去除残留的纯水的干燥工艺。

以往，干燥工艺以这种方式来执行：在残留有纯水的基板上供应加热的氮气。然而，图案的线条宽度的减小或图案的纵横比的增大，导致要去除图案之间狭窄空间的纯水是很困难的。为克服该问题，在近来的干燥工艺中，基板上残留的纯水被与纯水相比较具有高挥发性和低表面张力的液体有机溶剂(例如异丙醇)所代替，接着供应加热的氮气以干燥基板。

然而，因为很难将非极性有机溶剂与极性水混合，所以，为了用液体有机溶剂来替代纯水，必须长时间将大量的液体有机溶剂供应到基板上。

此外，虽然有机溶剂被用于干燥工艺，但是对于亚30纳米半导体器件，难以防止图案崩坏的问题，因此超临界干燥工艺作为传统干燥工艺的替代选择被考虑。

图1为示意性示出构造为执行超临界工艺的基板处理设备10的视图。基板处理设备10可包括腔室12、支撑单元14和密封构件16。由于使用超临界流体来执行超临界干燥工艺，腔室12应被维持为具有高内压。为此，腔室12被设置为具有气密结构，并且，额外设置密封构件16以防止在腔室12和外部之间形成泄漏通道。

然而，在超临界干燥工艺的步骤(例如去除有机溶剂)中，有机溶剂可能进入设置在腔室12中的密封构件16中。进入的有机溶剂可作为在密封构件16附近积累的粒子的来源。

在超临界干燥工艺之后，腔室12可被打开以将基板S卸载到外部。此时，由于腔室12的内部空间和外部空间之间的压差，在密封构件16附近积累的粒子可能移动到腔室12的内部空间中。一些这样的粒子可能沉积在基板S的表面上。沉积在基板S上的粒子可导致后续工艺的失败。

发明内容

本发明构思的示例性实施例提供了一种基板处理设备，该基板处理设备使基板干燥工艺能够被高效率地执行。

本发明构思的示例性实施例提供了一种基板处理设备，该基板处理设备能够防止可能在基板干燥工艺中产生的粒子流到基板上，从而提高基板干燥工艺的工艺效率。

根据本发明构思的示例性实施例，提供的是基板处理设备。