[发明专利]基板处理设备

权利要求书

1.一种基板处理设备，其特征在于，所述基板处理设备包括：

壳体，所述壳体包括上部主体和下部主体，所述上部主体和所述下部主体彼此耦合以限定处理空间，所述下部主体设置在所述上部主体的下方；

支撑单元，所述支撑单元耦合到所述上部主体，所述支撑单元支撑布置在所述处理空间中的基板的边缘；

流体供应单元，所述流体供应单元构造为将流体供应到所述处理空间；

密封构件，所述密封构件设置在所述上部主体和所述下部主体之间，且所述密封构件与所述上部主体和所述下部主体接触，所述密封构件将所述处理空间与外部空间密封隔离；以及

隔离板，所述隔离板安装在所述密封构件和所述支撑单元之间，

其中，所述隔离板设置为面向所述密封构件，且所述隔离板与所述密封构件在同一水平面上设置成一排。

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其特征在于，所述隔离板设置为具有环形形状。

3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，所述隔离板安装到所述上部主体，且所述隔离板具有向下的突出结构，所述突出结构的底部位于所述下部主体的内壁的顶表面的下方。

4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，所述支撑单元包括：

竖直部，所述竖直部从所述上部主体向下延伸；以及

水平部，所述水平部从所述竖直部的端部朝向所述壳体的内部区域向内延伸，且所述水平部支撑所述基板的底表面。

5.根据权利要求2所述的基板处理设备，其特征在于，所述流体供应单元包括上部流体供应部，所述上部流体供应部构造为将所述流体直接供应到由所述支撑单元支撑的所述基板的顶表面。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理设备，其特征在于，通过所述流体供应单元供应的所述流体为超临界流体。

7.一种基板处理设备，其特征在于，所述基板处理设备包括：

壳体，所述壳体包括下部主体和上部主体，所述下部主体限定处理空间，所述处理空间的顶部为开放的，且所述上部主体耦合到所述下部主体以遮盖所述处理空间；

支撑单元，所述支撑单元耦合到所述上部主体，所述支撑单元支撑布置在所述处理空间中的基板的边缘；

流体供应单元，所述流体供应单元构造为将流体供应到所述处理空间；以及

密封构件，所述密封构件设置在所述上部主体和所述下部主体之间，且所述密封构件与所述上部主体和所述下部主体接触，所述密封构件将所述处理空间与外部空间密封隔离；

其中，所述上部主体包括突出部，所述突出部向所述处理空间突出，且所述突出部面向布置在所述支撑单元上的所述基板，并且所述突出部向下延伸以具有这样的底部：所述底部位于所述下部主体的内壁的顶表面的下方，且所述突出部与所述密封构件在同一水平面上设置成一排。

8.根据权利要求7所述的基板处理设备，其特征在于，所述上部主体设置为包括多个凹陷区域，所述凹陷区域沿着所述突出部的边缘形成，且所述支撑单元安装到所述凹陷区域。

9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其特征在于，所述支撑单元包括：

竖直部，所述竖直部从所述上部主体向下延伸；以及

水平部，所述水平部从所述竖直部的端部朝向所述壳体的内部区域向内延伸，且所述水平部支撑所述基板的底表面。

10.根据权利要求8所述的基板处理设备，其特征在于，所述流体供应单元包括上部流体供应部，所述上部流体供应部构造为将所述流体直接供应到由所述支撑单元支撑的所述基板的顶表面。

11.根据权利要求7至8中任一项所述的基板处理设备，其特征在于，通过所述流体供应单元供应的所述流体为超临界流体。