[发明专利]自激式晶体管逆变器

权利要求书

1.一种自激式晶体管逆变器，其特征在于：在RCC电路中，以组合开关达林顿晶体管作为开关器件，采用取样电阻对电流进行取样，进行峰值电流保护，其中，晶体管Q2发射极串联达林顿管Q1基极组成组合开关达林顿管；达林顿管Q1发射极连接取样电阻R14一端，取样电阻R14另一端连接二极管D2阴极，二极管D2阳极通过串联的电阻R8连接于晶体管阵列Q5的引脚9，晶体管阵列Q5的引脚6连接于电位器R15滑动端，电位器R15连接在晶体管阵列Q5的引脚10与电源负极连线之间，升压变压器T1的初级绕组L1一端连接二极管D9阴极，另一端连接晶体管Q2集电极和达林顿管Q1集电极的并联接点；升压变压器T1的反馈绕组L2一端与电阻R1、电阻R2、电阻R13的一端连接，电阻R1的另一端连接二极管D6阳极，二极管D6的阴极、电阻R13的另一端连接于晶体管Q2的基极，反馈绕组L2另一端连接晶体管Q3的基极和电阻R3的一端，通过晶体管Q3的集电极连接电阻R9和二极管D7并联接点，晶体管Q3的基极通过二极管D1阴极与晶体管Q3的发射极的并联接点与电阻R2另一端连接；次级绕组L3一端通过整流二极管D10阴极和另一端连接储能电容器C4组成并联回路；通过调节电位器R15的阻值，改变晶体管阵列Q5的引脚10电压值，进而改变晶体管阵列Q5的引脚9电压调整阀值和改变取样电阻上的保护电流峰值，进一步稳定输出。

2.如权利要求1所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：晶体管阵列Q5的引脚13电连接电源负极连线，引脚11通过电阻R6连接电源负极与电阻R4，二极管D3串联电阻R11，二极管D3、电阻R11电连接在晶体管阵列Q5的引脚13与引脚11之间，晶体管阵列Q5的引脚12连接在二极管D3、电阻R11之间的接点上，晶体管阵列Q5的引脚9通过电阻R8串联二极管D2；晶体管阵列Q5的引脚2连接与电阻R12与二极管D8阳极之间。

3.如权利要求1所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：升压变压器采用包含初级绕组、反馈级绕组和次级绕组的三绕组结构。

4.如权利要求3所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：初级绕组为逆变器初级导通时的储能电感；次级绕组是初级关断时，电流经整流器件向储能电容充电；反馈级绕组在初级关断时感应次级电压，为由晶体管Q2和达林顿管Q1组成组合开关达林顿管关断提供负压，维持初级关断。

5.如权利要求1所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：低压直流电源经二极管D9、电阻R3、升压变压器T1反馈级绕组L2和电阻R13给触发电容C3充电。

6.如权利要求4所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：当触发电容C3的电压达到晶体管Q2和达林顿管Q1组成的组合开关达林顿管的基极饱和电压时，组合开关达林顿管饱和导通；通过组合开关达林顿管和取样电阻R14的电流线性增加。

7.如权利要求5所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：电阻R14、电阻R8和二极管D2上的电压上升到设定值时，晶体管阵列Q5的3脚输出高电平使晶体管Q4饱和导通，触发电容C3上的电能经晶体管Q4泄放至晶体管Q4的饱压降，关断Q1；升压变压器初级绕组T1中的电流经铁芯转换至升压变压器次级绕组，升压变压器次级绕组的电流经二极管D10给储能电容器充电；当次级绕组的电流下降到零时，升压变压器T1各绕组的电压方向改变，在电源电压的驱动下进行重新开始新一轮的逆变工作。

8.如权利要求1所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：晶体管阵列Q5的引脚12连接在二极管D3、电阻R11之间的接点上，二极管D3串联在晶体管阵列Q5的引脚14与引脚11之间。

9.如权利要求1所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：电阻R4一端与电阻R7一端和电阻R3另一端连接，电阻R4的另一端与电阻R5一端和二极管D8阴极连接；电位器R15一端电连接电源负极，并与晶体管阵列Q5引脚6并联；晶体管阵列Q5引脚5、引脚7并联，并通过电阻R5串联二极管D8阴极，与晶体管阵列Q5的引脚2并联。

10.如权利要求1所述的自激式晶体管逆变器，其特征在于：晶体管阵列Q5的引脚3与晶体管Q4的基极连接，晶体管阵列Q5的引脚4与晶体管Q4的集电极连接，晶体管Q4通过电阻R10串联电容C2，集电极通过电容C3和二极管D4阴极的接点连接电阻R13的另一端，并连接晶体管Q2的基极，晶体管Q4通过电阻R10和电源负极经串联电容C2电连接电源正极。