[发明专利]切断装置以及切断方法有效
申请号: | 201510726801.0 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN105742245B | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 片冈昌一;东秀和 | 申请(专利权)人: | 东和株式会社 |
主分类号: | H01L21/782 | 分类号: | H01L21/782 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 张路;王琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切断 装置 以及 方法 | ||
本发明公开一种切断装置及切断方法。在该装置中,使用一个位移传感器来测定旋转刃的轴向的位移量和径向的位移量。在该装置中,在心轴(1)设置凸缘(6),该凸缘具有从两侧夹着旋转刃(4)以进行固定的锥形部(5)。在心轴主体(2)中,在与凸缘的锥形部相对置的位置设置位移传感器(7)。通过测定从位移传感器的前端部到凸缘的锥形部的距离,从而能够测定轴向的位移量和径向的位移量。能够对因热膨胀而伸缩的旋转轴(3)的位移量进行校正,以使旋转刃的中心线的位置准确吻合于封装基板的切断线的位置来进行切断。通过捕捉旋转刃的振动用以作为从位移传感器的前端部到锥形部的距离发生位移的位移量,从而能够掌握旋转刃的振动的振幅大小。
技术领域
本发明涉及通过切断被切断物来制造被单片化后的多个产品的切断装置以及切断方法。
背景技术
将由印刷电路板和引线框等构成的基板虚拟性地划分为格子状的多个区域,并在各个区域中安装芯片状的元件(例如,半导体芯片),之后对基板整体进行树脂封装,将之称为封装基板。由使用了旋转刃等的切断机构来切断封装基板,单片化为各个区域单位后成为产品。
以往,在切断装置中使用切断机构并通过旋转刃等切断单元来切断封装基板的规定区域。首先,将封装基板放置在切断用工作台上并进行吸附。接着,对封装基板进行对准(对位)。通过进行对准,从而设定了用于划分多个区域的虚拟性的切断线的位置。接下来,使吸附有封装基板的切断用工作台与切断机构相对地移动。在对封装基板的切断部位喷射切削水的同时,由切断机构沿着设定于封装基板的切断线来切断封装基板。通过切断封装基板来制造被单片化后的产品。
在切断机构中,旋转刃与电机经由旋转轴而连接。通过电机使旋转刃高速旋转来切断封装基板。在使用切断机构来重复进行封装基板的切断时,旋转轴因进行高速旋转而发热。由于发热,旋转轴产生热膨胀而在沿着旋转轴的方向(轴向)上延伸。当旋转轴在轴向上延伸时,安装于旋转轴的前端部的旋转刃也在轴向上位移。因此,切断机构中的旋转刃的位置与封装基板的切断线的位置发生错位。如果在旋转刃的位置从切断线的位置处错位的状态下切断封装基板,则有可能会引起产品的破损和劣化。
根据封装基板的结构和切断封装基板的条件,进行切断时的切断负荷有时会增大。当进行切断时的切断负荷增大时,旋转刃的振动会增大。如果旋转刃的振动较大,则会发生旋转刃的破损,致使产品的品质劣化。此外,旋转刃的磨损量会增大,旋转刃的寿命会变短。因此,在切断机构中,对进行切断时的旋转轴的伸缩和切断过程中的振动的振幅大小进行掌握并反馈为最佳的切断条件就变得重要。
作为能够简单地进行切断位置的定位的切割装置,提出了一种“具备:刀具,用于切断半导体晶片;显微镜,用于对半导体晶片的切断位置进行确认;测定单元,相对于该显微镜以预先确定的位置关系来配置,非接触性地对到刀具的距离进行测定;以及切断位置控制单元,根据该测定单元与显微镜之间的距离以及通过测定单元测定出的距离,对基于刀具的切断位置进行控制”的切割装置(例如,参照专利文献1的段落[0008]、图1、图2)。
专利文献1:日本专利特开平6-310596号公报
但是,在专利文献1所公开的切割装置中存在如下问题。如专利文献1的图1所示,在显微镜13的视野内,出现基准线18。预先已知了该基准线18与光学式位移传感器14的前端的距离D1。光学式位移传感器14被配置在与刀片11相对置的位置,对从其前端到刀片11的距离D2进行测定,并输出与该距离D2相应的模拟电压。NC装置16对除了工作台驱动装置17以外的心轴电机12等、切割装置整体进行数值控制。
在这种装置中,由于使用光学式位移传感器14,因此易于受到附着于刀片11的水或污垢等的影响。因此,对从光学式位移传感器14到刀片11的距离D2的测定有可能产生误差。另外,由于不具备用于对切断过程中的刀片11的径向方向(径向)的振动进行测定的单元,因此无法判断是否高效地进行切断。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造