[发明专利]基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统在审

专利信息
申请号: 201510726627.X 申请日: 2015-10-30
公开(公告)号: CN105369291A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 郭力 申请(专利权)人: 四川华索自动化信息工程有限公司
主分类号: C25C3/14 分类号: C25C3/14;C25C3/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 基于 三极 管自 振荡 电路 电解 智能 控制系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及铝电解领域,具体是指基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统。

背景技术

铝电解生产采用的是熔盐电解工艺,用铝电解槽作设备,氧化铝作电解原料,以冰晶石电解质溶解氧化铝经电化学反应生成金属铝。其在生产过程中会产生残渣,需要定时进行清除。传统的电解槽打壳系统通过槽控机输出两路打壳信号给换向阀控制打壳过程,打壳时以固定的全行程模式进行,这种打壳方式存在很大的缺陷,即1、全行程模式打壳时,由于锤头长时间处于高温的电解槽中,大量热量传导给气缸后导致密封件长期受热老化,使用寿命大幅缩短。2、存在锤头融化、堵料和粘葫芦头等现象,致使锤头损耗严重、下料不畅、阳极效应频发,阳极效应的发生增加了铝的二次反应和氟盐的消耗。3、打壳锤头上粘连的葫芦头既影响了下料通畅,也增大了壳面口,增加了电解槽的热损失,电解时需不定时的将粘连打掉,耗费人力。4、人工清打粘连的葫芦头时会使打壳气缸杆及锤头受到撞击,增加了掉锤头的几率及打壳气缸故障率。因此,如何能够延长电解槽打壳系统的使用寿命,解决下料不畅的问题则是目前的当务之急。

发明内容

本发明的目的在于克服传统的电解槽打壳系统所存在的以上缺陷,提供一种基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统。

本发明的目的用以下技术方案实现:基于三极管自激式振荡电路的铝电解用智能打壳控制系统,主要由气缸控制模块,微处理器,与微处理器相连接的电源模块、信号处理模块、打壳信号输出模块和反馈信号处理模块,与信号处理模块相连接的槽控机信号输入接口,与反馈信号处理模块相连接的传感器组,以及串接在打壳信号输出模块与气缸控制模块之间的三极管自激振荡模块组成。

进一步的,所述三极管自激振荡模块由振荡电路,与振荡电路相连接的补偿电路组成。所述振荡电路由三极管VT3,三极管VT4,单向晶闸管D7,P极经电阻R10后与三极管VT4的基极相连接、N极则经电阻R8后与三极管VT4的发射极相连接的二极管D5,一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端则与三极管VT4的发射极相连接的电阻R9,正极与三极管VT3的发射极相连接、负极则与三极管VT4的基极相连接的电容C4,正极与三极管VT3的基极相连接、负极则与补偿电路相连接的电容C5,一端与三极管VT3的基极相连接、另一端则与三极管VT4的发射极相连接的电阻R13,N极与三极管VT3的集电极相连接、P极则与二极管D5的N极共同形成该三极管自激振荡模块的输入端的二极管D6,一端与三极管VT3的基极相连接、另一端则与单向晶闸管D7的P极相连接的电阻R11,以及一端与三极管VT4的基极相连接、另一端则与单向晶闸管D7的P极相连接的电阻R12组成;所述单向晶闸管D7的N极与三极管VT4的集电极相连接、P极接地、其控制极则与补偿电路相连接;所述三极管VT4的发射极还与补偿电路相连接。

所述的补偿电路由场效应管MOS3,三极管VT5,正极与场效应管MOS3的源极相连接、负极则与单向晶闸管D7的控制极相连接的极性电容C6,一端与场效应管MOS3的源极相连接、另一端接地的电阻R14,串接在场效应管MOS3的漏极和三极管VT5的基极之间的电容C7,一端与场效应管MOS3的漏极相连接、另一端接地的电阻R15,以及一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端则经电阻R15后与场效应管MOS3的漏极相连接的电阻R16组成;所述场效应管MOS3的栅极与电容C5的负极相连接;所述三极管VT4的发射极与三极管VT5的发射极相连接;所述三极管VT5的发射极和电阻R15与电阻R16的连接点则共同形成该三极管自激振荡模块的输出端。

所述信号处理模块则由选频电路,与选频电路相连接的低通滤波电路,以及同时与选频电路和低通滤波电路相连接的两级放大电路组成。

所述的选频电路由三极管VT1,三极管VT2,二极管D1,二极管D2,电阻R1,电阻R2,电阻R3以及电容C1组成;所述电阻R1串接在二极管D2的P极与三极管VT1的集电极之间,所述电阻R2串接在二极管D2的P极与三极管VT1的基极之间;所述电阻R3串接在二极管D2的N极和三极管VT2的发射极之间;电容C1则串接在三极管VT2的基极和集电极之间;所述三极管VT2的基极与三极管VT1的基极相连接、其集电极则与两级放大电路相连接;所述二极管D1的N极与三极管VT1的发射极相连接、其P极则与低通滤波电路相连接;所述二极管D2的N极与两级放大电路相连接、其P极则与二极管D1的P极共同形成该信号处理模块的输入端,该输入端则与槽控机信号输入接口的输出端相连接。

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